[发明专利]一种具有深沟槽的浮动结碳化硅SBD器件

权利要求书

1.一种具有深沟槽的浮动结碳化硅SBD器件，其特征在于，其包括金属、SiO₂隔离介质、沟槽、一次N^-外延层、P⁺离子注入区、二次N^-外延层、N⁺衬底区、欧姆接触区，其中，

所述P⁺离子注入区处于深沟槽的拐角处下方，P⁺离子注入区的形状为与沟槽形状相同的环形，且P⁺离子注入区位于一次N^-外延层表面；

所述沟槽为深沟槽，沟槽的深度为1.5～8μm。

2.根据权利要求1所述的具有深沟槽的浮动结碳化硅SBD器件，其特征在于，所述一次N^-外延层和二次N^-外延层的总厚度为20μm，其中一次N^-外延层氮离子掺杂浓度为1x10¹⁵cm^-3～1x10¹⁶cm^-3，一次N^-外延层的厚度为12～17μm。

3.根据权利要求1或2所述的具有深沟槽的浮动结碳化硅SBD器件，其特征在于，所述P⁺离子注入区的掺杂浓度为5x10¹⁸cm^-3～1x10¹⁹cm^-3，厚度为0.4～0.6μm。

4.根据权利要求1或2所述的具有深沟槽的浮动结碳化硅SBD器件，其特征在于，P⁺离子注入区处于深沟槽的拐角处下方，P⁺离子注入区距沟槽0～1.5μm。

5.根据权利要求3所述的具有深沟槽的浮动结碳化硅SBD器件，其特征在于，所述P⁺离子注入区区域将沟槽拐角区域完全覆盖。

6.根据权利要求3所述的具有深沟槽的浮动结碳化硅SBD器件，其特征在于，沟槽的形状为实心形状的沟槽，沟槽拐角处下方的浮动结为相应的环形。

7.根据权利要求1或2所述的具有深沟槽的浮动结碳化硅SBD器件，其特征在于，所述二次N^-外延层位于一次N^-外延层上方，厚度是3～8μm，氮离子掺杂浓度为1x10¹⁵cm^-3～1x10¹⁶cm^-3，一次N^-外延层和二次N^-外延层的总厚度为20μm。

8.根据权利要求7所述的具有深沟槽的浮动结碳化硅SBD器件，其特征在于，所述N⁺衬底是N型SiC衬底片；一次N^-外延层位于N+衬底之上。

9.根据权利要求7所述的具有深沟槽的浮动结碳化硅SBD器件，其特征在于，所述金属和SiO₂隔离介质位于二次N^-外延层上方。