[发明专利]一种具有环形块状埋层的沟槽式浮动结碳化硅SBD器件

权利要求书

1.一种具有环形块状埋层的沟槽式浮动结碳化硅SBD器件，其特征在于，其包括金属、SiO₂隔离介质、沟槽、一次N^-外延层、P⁺离子注入区、二次N^-外延层、N⁺衬底区和欧姆接触区，其中，

所述P⁺离子注入区处于二次N^-外延层的表面，肖特基接触区的所述沟槽与P⁺离子注入区上下对齐，形状相同，或者与非P⁺离子注入区上下对齐，形状相同。

2.根据权利要求1所述的具有环形块状埋层的沟槽式浮动结碳化硅SBD器件，其特征在于，所述的沟槽与P⁺离子注入区形状相同，面积相等，且沟槽与此沟槽下方的块状P⁺离子注入区的边缘对齐。

3.根据权利要求1或2所述的具有环形块状埋层的沟槽式浮动结碳化硅SBD器件，其特征在于，所述的沟槽与非P⁺离子注入区形状相同，面积相等，且沟槽与此沟槽下方的非P⁺离子注入区的边缘对齐。

4.根据权利要求3所述的具有环形块状埋层的沟槽式浮动结碳化硅SBD器件，其特征在于，所述N^-外延层最上端到底面的厚度为20μm，其中掺杂浓度为1x10¹⁵cm^-3～1x10¹⁶cm^-3，一次N^-外延层的厚度为5～15μm；所述P⁺离子注入区的掺杂浓度为1x10¹⁸cm^-3～1x10¹⁹cm^-3，厚度为0.4～0.6μm；沟槽的深度为1～3μm。

5.一种具有环形块状埋层的沟槽式浮动结碳化硅SBD器件，其特征在于，其包括金属、SiO₂隔离介质、沟槽、一次N^-外延层、P⁺离子注入区、二次N^-外延层、N⁺衬底区和欧姆接触区，其中，

所述P+离子注入区处于二次N^-外延层的表面，浮动结采用环形的块状埋层；沟槽与P⁺离子注入区的环外边缘上下对齐，形状相同；或者非沟槽区采用实心形状，且与P⁺离子注入区的环外边缘上下对齐，形状相同。

6.根据权利要求5所述的具有环形块状埋层的沟槽式浮动结碳化硅SBD器件，其特征在于，所述沟槽采用实心形状，与P⁺离子注入区的环的形状相同，沟槽与此沟槽下方的块状P⁺离子注入区的环的外边缘对齐，且与环外边缘的图形的面积相等。

7.根据权利要求5或6所述的具有环形块状埋层的沟槽式浮动结碳化硅SBD器件，其特征在于，肖特基接触区的非沟槽区与P⁺离子注入区的环的形状相同，非沟槽区与此非沟槽区下方的块状P⁺离子注入区的环的外边缘对齐，且与环外边缘的图形的面积相等。

8.根据权利要求7所述的具有环形块状埋层的沟槽式浮动结碳化硅SBD器件，其特征在于，所述N^-外延层最上端到底面的厚度为20μm，其中掺杂浓度为1x10¹⁵cm^-3～1x10¹⁶cm^-3，一次N^-外延层的厚度为5～15μm；所述P⁺离子注入区的掺杂浓度为1x10¹⁸cm^-3～1x10¹⁹cm^-3，厚度为0.4～0.6μm；沟槽的深度为1～3μm。

9.根据权利要求7所述的具有环形块状埋层的沟槽式浮动结碳化硅SBD器件，其特征在于，所述P⁺离子注入区块状的形状是圆环形、三角环形、方环形或六棱环形。

10.根据权利要求7所述的具有环形块状埋层的沟槽式浮动结碳化硅SBD器件，其特征在于，所述金属和SiO₂隔离介质位于二次N-外延层上方；金属和SiO₂隔离介质相邻。