[发明专利]一种半导体器件的封装方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造工艺，尤其涉及一种半导体器件的封装方法。

背景技术

晶圆级芯片封装(WaferLevelChipScalePackaging，简称WLCSP)，不同于传统的芯片封装方式(先切割再封测，而封装后至少增加原芯片20％的体积)，此种最新技术是先在整片晶圆上进行封装和测试，然后才切割成一个个的IC颗粒，因此封装后的体积即等同IC裸晶的原尺寸。WLCSP的封装方式，一方面不仅明显地缩小了封装模块的尺寸，而且符合目前各类装置对于机体空间的高密度需求；另一方面在效能的表现上，更提升了数据传输的速度与稳定性。

图1A-1F示出了现有技术中晶圆进行WLCSP封装包括的步骤：首先，如图1A所示，提供晶圆100，所述晶圆100表面已经形成有凸块下金属化(UBM)结构101，提供焊球102，将焊球102对应设置于UBM层101之上。接着，如图1B所示，执行回流焊工艺步骤，熔融焊球102以使其与UBM结构电连接。接着，如图1C所示，在晶圆正面粘贴紫外(UV)膜103，以保护器件。接着，如图1D所示，进行晶圆背部研磨，将晶圆研磨到工艺要求的尺寸。接着，如图1E所示，采用紫外光照射以去除紫外膜和晶圆之间的粘性，去除紫外膜。接着，如图1F所示进行晶圆背部环氧树脂层104的涂覆和固化。

对于WLCSP产品，由于焊球尺寸的公差往往有±15μm，而终端客户需求的背面印刷层的公差仅为±5μm,焊球的公差影响了背面印刷层的均匀性，从而极大的影响了产品的合格率。同时由于晶圆表面焊球的存在，而球的高度高达300μm，所以在进行晶圆背部研磨时必须采用成本较高的UV膜对晶圆正面的器件进行保护，这给成本也带来了很大的挑战。这些问题的产生均由于晶圆已经完成正面的制程，从而造成了背面制程的不可控性及成本上升。

因此，为了解决上述技术问题，有必要提出一种新的封装方法。

发明内容

在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

为了解决现有技术中存在的问题，本发明提出了一种半导体器件的封装方法，包括下列步骤：提供晶圆，所述晶圆正面形成有焊垫；在所述晶圆正面覆盖保护膜；进行晶圆背部研磨工艺；去除所述保护膜；提供焊球，将所述焊球放置于所述焊垫之上。

进一步，在将所述焊球放置于所述焊垫上之前还包括在所述晶圆背面覆盖环氧树脂层，并进行固化的步骤。

进一步，在将所述焊球放置于所述焊垫上之后还包括执行回流焊工艺的步骤。

进一步，所述保护膜选自紫外膜或者蓝膜。

进一步，所述焊垫为凸块下金属化结构。

综上所示，根据本发明的封装方法，可改善晶圆背面印刷层的均匀性，同时还可降低生产成本。

附图说明

本发明的下列附图在此作为本发明的一部分用于理解本发明。附图中示出了本发明的实施例及其描述，用来解释本发明的原理。

附图中：

图1A-图1F为现有技术中晶圆进行WLCSP封装包括的步骤相应结构的示意图；

图2A-图2F为本发明示例性实施例的方法依次实施的步骤所分别获得的结构的示意图；

图3为根据本发明示例性实施例的方法依次实施的步骤的流程图。

具体实施方式

在下文的描述中，给出了大量具体的细节以便提供对本发明更为彻底的理解。然而，对于本领域技术人员而言显而易见的是，本发明可以无需一个或多个这些细节而得以实施。在其他的例子中，为了避免与本发明发生混淆，对于本领域公知的一些技术特征未进行描述。

为了彻底理解本发明，将在下列的描述中提出详细的步骤，以便阐释本发明提出的本发明的制造工艺。显然，本发明的施行并不限定于半导体领域的技术人员所熟习的特殊细节。本发明的较佳实施例详细描述如下，然而除了这些详细描述外，本发明还可以具有其他实施方式。

应当理解的是，当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”时，其指明存在所述特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在或附加一个或多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组合。

[示例性实施例]

下面将结合附图对本发明进行更详细的描述，其中标示了本发明的优选实施例，应该理解本领域技术人员可以进行修改在此描述的本发明，而仍然实现本发明的有利效果。