[发明专利]一种用于LVS验证的对晶体管的栅极进行识别的方法

权利要求书

1.一种用于LVS验证的对晶体管的栅极进行识别的方法，其特征在于，所述方法包括：

步骤S101：将版图中的有源层与鳍型结构层重叠但未与栅极层重叠的区域识别为FINSD，将版图中栅极层与有源层以及鳍型结构层重叠的区域识别为GATE0；

步骤S102：将所述GATE0中左右两侧均与所述FINSD相接触的部分识别为GATE1；

步骤S103：将所述GATE1沿栅极层的延伸方向延伸预定距离后所形成的区域识别为晶体管的栅极GATEr，其中所述预定距离为相邻的两个鳍型结构层之间的间距的二分之一，其中，当所述GATE1在沿栅极层的延伸方向的两侧均覆盖有有源层时，将所述GATE1沿栅极层的延伸方向同时向两侧各延伸所述预定距离；当所述GATE1仅在沿栅极层的延伸方向的一侧覆盖有有源层时，将所述GATE1沿栅极层的延伸方向向覆盖有有源层的一侧延伸所述预定距离。

2.如权利要求1所述的用于LVS验证的对晶体管的栅极进行识别的方法，其特征在于，在所述步骤S101中，识别FINSD的步骤与识别GATE0的步骤同时进行。

3.如权利要求1所述的用于LVS验证的对晶体管的栅极进行识别的方法，其特征在于，在所述步骤S101中，先执行识别FINSD的步骤，再执行识别GATE0的步骤。

4.如权利要求1所述的用于LVS验证的对晶体管的栅极进行识别的方法，其特征在于，在所述步骤S101中，先执行识别GATE0的步骤，再执行识别FINSD的步骤。

5.如权利要求1所述的用于LVS验证的对晶体管的栅极进行识别的方法，其特征在于，在所述步骤S103之后还包括步骤S104：

将版图中的栅极层与有源层相重叠的区域识别为栅极。

6.如权利要求5所述的用于LVS验证的对晶体管的栅极进行识别的方法，其特征在于，在所述步骤S104之后还包括步骤S105：

将栅极中除所述GATEr之外的区域识别为GATEd。

7.如权利要求1所述的用于LVS验证的对晶体管的栅极进行识别的方法，其特征在于，在所述步骤S101中，还包括将版图中的栅极层与有源层相重叠的区域识别为栅极的步骤。

8.如权利要求1所述的用于LVS验证的对晶体管的栅极进行识别的方法，其特征在于，所述对晶体管的栅极进行识别所针对的版图中不包括用于识别所述晶体管的栅极的标记层。