[发明专利]一种发光材料Mg3SiO4F2及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201410167052.8 申请日: 2014-04-24
公开(公告)号: CN105018078B 公开(公告)日: 2017-02-15
发明(设计)人: 刘光辉;刘茜;周真真;魏钦华;杨华 申请(专利权)人: 中国科学院上海硅酸盐研究所
主分类号: C09K11/61 分类号: C09K11/61
代理公司: 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙)31261 代理人: 曹芳玲,郑优丽
地址: 200050 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 发光 材料 mg3sio4f2 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种发光材料Mg3SiO4F2,其特征在于,所述发光材料Mg3SiO4F2通过高温固相焙烧的方式获得;在250-275 nm波长的紫外光激发下发射可见光,所述发光材料Mg3SiO4F2的发射峰包括350-415 nm、500-520 nm和 712-740 nm中的至少一个。

2.一种制备权利要求1所述发光材料Mg3SiO4F2的方法,其特征在于,所述方法包括将原料MgF2、SiO2、MgO按摩尔比1: 1: 2干法混合均匀,在1000-1500℃下进行高温固相焙烧,焙烧时间为2-6 小时,最后随炉冷却至室温,研磨后可得所述发光材料。

3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述焙烧在氩气气氛或氩气/氢气混合气气氛下进行。

4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述在氩气气氛下焙烧,焙烧在电炉中进行,焙烧时先将电炉内抽真空,然后充入高纯氩气,维持气体压力为0.2-0.4MPa。

5.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述在氩气/氢气混合气气氛下焙烧,所述混合气体中氩气的体积百分比为5%,焙烧在电炉中进行,焙烧时先将电炉内抽真空,然后充入高纯氩气/氢气混合气,维持气体压力为0.2-0.4 MPa。

6.根据权利要求4或5所述的方法,其特征在于,所述电炉内抽真空至10Pa。

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