[发明专利]碳纳米管复合膜的制备方法

权利要求书

1.一种碳纳米管复合膜的制备方法，其包括以下步骤：

提供一含有多个半导体颗粒的第一悬浮液；

将第一悬浮液中的多个半导体颗粒沉积于一基底的表面，从而在所述基底表面形成多个半导体颗粒；

提供一含有多根碳纳米管的第二悬浮液；以及

将第二悬浮液中的多根碳纳米管沉积在带有半导体颗粒的基底表面，形成一碳纳米管复合膜。

2.如权利要求1所述的碳纳米管复合膜的制备方法，其特征在于，所述碳纳米管为纯的半导体性碳纳米管。

3.如权利要求1所述的碳纳米管复合膜的制备方法，其特征在于，所述第二悬浮液中碳纳米管的质量与第一悬浮液中半导体颗粒的质量的比值为1：1000～1:3000。

4.如权利要求1所述的碳纳米管复合膜的制备方法，其特征在于，所述多个半导体颗粒通过物理性沉积形成于基底的表面，沉积的时间为5小时～24小时。

5.如权利要求1所述的碳纳米管复合膜的制备方法，其特征在于，所述第二悬浮液为通过将碳纳米管分散于第二溶剂中得到，所述碳纳米管与所述第二溶剂的混合比例为1mg/200mL～1mg/40mL。

6.如权利要求1所述的碳纳米管复合膜的制备方法，其特征在于，在沉积半导体颗粒之前进一步包括一对所述基底的表面进行预处理的步骤，以使基底的表面带有极性基团。

7.如权利要求6所述的碳纳米管复合膜的制备方法，其特征在于，所述碳纳米管在重力以及基底表面的极性基团的作用下沉积于所述基底的表面。

8.如权利要求7所述的碳纳米管复合膜的制备方法，其特征在于，所述碳纳米管沉积的时间为20分钟～2小时。

9.如权利要求1所述的碳纳米管复合膜的制备方法，其特征在于，所述形成第一悬浮液的步骤具体包括：

提供一半导体材料，所述半导体材料为一层状结构；以及

将所述半导体材料与一第一溶剂混合并超声得到一含有多个半导体颗粒的悬浮液，每个半导体颗粒为一由多个半导体分子层组成的层状结构，其层数为1～20。

10.如权利要求9所述的碳纳米管复合膜的制备方法，其特征在于，所述半导体颗粒的材料为MoS₂、WS₂、WSe₂、WTe₂、BN、MnO₂、ZnO、MoSe₂、MoTe₂、TaSe₂、NiTe₂、Bi₂Te₃中的一种或其组合。

11.如权利要求9所述的碳纳米管复合膜的制备方法，其特征在于，所述半导体颗粒为一半导体片，所述半导体片的面积为0.1平方微米～5平方微米，所述半导体片的厚度为2纳米～20纳米。

12.如权利要求9所述的碳纳米管复合膜的制备方法，其特征在于，所述半导体材料与所述第一溶剂的混合比例为1g/200mL～1g/40mL。

13.如权利要求9所述的碳纳米管复合膜的制备方法，其特征在于，所述第一溶剂为水，乙醇，N-甲基吡咯烷酮，丙酮，氯仿，或四氢呋喃中的至少一种。

14.如权利要求9所述的碳纳米管复合膜的制备方法，其特征在于，所述超声的功率为300瓦～600瓦，所述超声的时间为5小时～24小时。