[发明专利]金属离子印迹聚合物及其制备方法与应用在审
| 申请号： | 201410168762.2 | 申请日： | 2014-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN105085924A | 公开（公告）日： | 2015-11-25 |
| 发明（设计）人： | 康澍;郑清林;王利平;王倩;卢瑞华 | 申请（专利权）人： | 北京普析通用仪器有限责任公司 |
| 主分类号： | C08G77/26 | 分类号： | C08G77/26;C08G77/20;C08G77/28;C08G77/14;C08G79/00;C08J9/26;B01J20/26;B01J20/30;B01D15/02 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 李英艳 |
| 地址： | 101200*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属 离子 印迹 聚合物 及其 制备 方法 应用 | ||
1.一种金属离子印迹聚合物的制备方法，包括将硅烷偶联剂、交联剂、表面活性剂、溶剂和金属离子模板通过溶胶-凝胶法制得所述金属离子印迹聚合物。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述金属离子模板与所述硅烷偶联剂的重量比为(0.001-10):1。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述交联剂与所述硅烷偶联剂的重量比为(1-20):1。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述硅烷偶联剂选自3-氨基丙基三乙氧基硅烷、3-(2-氨基乙氨基)丙基三甲氧基硅烷、3-(三乙氧基硅)丙烯、3-巯基丙基三乙氧基硅烷、3-丙异氰根三乙氧基硅烷、丙醛三乙氧基硅烷、3-(三乙氧基硅)丙基丙烯酰胺、或3-(三甲氧基硅)丙基丙烯酸中的一种或几种。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述交联剂选自四正丙基锆酸酯、锆酸四丁酯、四乙氧基硅烷、四丁基钛酸酯、四甲氧基硅烷或乙烯基三甲氧基硅烷。
6.根据权利要求1至5任一项所述的方法，其中，包括将所述硅烷偶联剂、交联剂、表面活性剂、金属离子模板在溶剂中混合，然后在碱性条件下进行缩聚反应，得到含金属离子的聚合物；将所述含金属离子的聚合物进行萃取，直至所述表面活性剂萃取完全；清洗萃取后所得聚合物，直至检测不到金属离子；将去除印迹离子的聚合物用有机溶剂清洗至中性，干燥，即制得金属离子印迹聚合物。
7.一种权利要求1至6任一项所述的方法制得的金属离子印迹聚合物。
8.一种权利要求7所述的金属离子印迹聚合物在分离金属离子中的应用。
9.一种印迹膜电极，其中，在所述电极表面设置有权利要求7所述的金属离子印迹聚合物形成的膜。
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