[发明专利]液体喷头制造方法、液体喷头和打印装置有效
申请号: | 201410169239.1 | 申请日: | 2014-04-24 |
公开(公告)号: | CN103935127B | 公开(公告)日: | 2017-01-11 |
发明(设计)人: | 陈晓坤;佟鑫 | 申请(专利权)人: | 珠海赛纳打印科技股份有限公司 |
主分类号: | B41J2/16 | 分类号: | B41J2/16 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 | 代理人: | 刘芳 |
地址: | 519075 广东省珠海市香洲区珠海大道3883号0*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 液体 喷头 制造 方法 打印 装置 | ||
1.一种液体喷头制造方法,其特征在于,包括:
在基板上表面依次层叠振动板、下电极、压电陶瓷薄膜层和上电极,所述下电极、压电陶瓷薄膜层和上电极形成压电元件;
通过等离子体增强化学气相沉积法在所述压电元件的上表面和侧面形成氮化硅保护膜,所述氮化硅保护膜的内应力为压应力。
2.根据权利要求1所述的液体喷头制造方法,其特征在于,所述等离子体增强化学气相沉积法的反应气体为SiH4和NH3,载气为惰性气体;其中,SiH4和NH3的流量比为0.1~4.0;
所述氮化硅保护膜的沉积温度为200℃至400℃之间,反应压强为100mTorr至500mTorr之间;
射频功率源的功率为100W~300W,频率为50KHz~500KHz。
3.根据权利要求2所述的液体喷头制造方法,其特征在于,所述氮化硅保护膜的厚度为100nm~400nm;
所述氮化硅保护膜的压应力为0.5GPa~2.0GPa,且密度为2.3g/cm3~3.0g/cm3。
4.根据权利要求1~3任一所述的液体喷头制造方法,其特征在于,所述在基板上表面依次层叠振动板、下电极、压电陶瓷薄膜层和上电极,所述下电极、压电陶瓷薄膜层和上电极形成压电元件,包括:
在基板上表面形成二氧化硅层,在所述二氧化硅层上表面形成氮化硅层,所述二氧化硅层和氮化硅层形成振动板;所述二氧化硅层的厚度为0.5μm~1.0μm,所述氮化硅层的厚度为0.2μm~0.6μm;
在所述氮化硅层上表面形成下电极,所述下电极为铂金层或铱层,或铂金与铱组成的复合层;所述下电极的厚度为0.1μm~0.2μm;
在所述下电极上表面形成压电陶瓷薄膜层,所述压电陶瓷薄膜层为压电薄膜材料形成,厚度为1.0μm~1.5μm;
在所述压电陶瓷薄膜层上表面形成上电极,所述上电极为铂金层或铱层,或铂金与铱组成的复合层;所述上电极的厚度为0.05μm~0.1μm。
5.根据权利要求4所述的液体喷头制造方法,其特征在于,所述通过漂洗液去除所述光刻胶层和其上表面的部分电极层,保留位于所述压电陶瓷薄膜层上表面的部分电极层,以形成上电极,之后还包括:
在所述上电极上表面旋转涂覆抗腐材料,以涂覆的抗蚀材料作为掩膜,进行曝光和显影处理,将未涂覆抗蚀材料的部分去掉,形成压电元件。
6.根据权利要求5所述的液体喷头制造方法,其特征在于,所述通过等离子体增强化学气相沉积法在所述压电元件的上表面和侧面形成氮化硅保护膜,所述氮化硅保护膜的内应力为压应力,之后还包括:
在所述氮化硅层上表面涂覆抗腐材料,并进行曝光、显影和刻蚀处理,形成供墨通道;
在所述基板的下表面刻蚀形成变形空腔,所述振动板搭设在所述变形空腔上。
7.根据权利要求6所述的液体喷头制造方法,其特征在于,所述在所述基板的下表面刻蚀形成变形空腔,所述振动板搭设在所述变形空腔上,之后还包括:
在所述基板的上部形成与多个所述振动板对应的压力腔室、与所述多个压力腔室对应的喷嘴、以及与多个所述压力腔室连通的公共腔室。
8.根据权利要求7所述的液体喷头制造方法,其特征在于,所述在所述基板的上部形成与多个所述振动板对应的压力腔室、与所述多个压力腔室对应的喷嘴、以及与多个所述压力腔室连通的公共腔室,之后还包括:
在所述基板的下表面设置有盖板,该盖板盖设所述变形空腔上并保持所述供墨通道的畅通。
9.一种液体喷头,其特征在于,该液体喷头是用权利要求1至8中任一项所述的液体喷头制造方法制造的。
10.一种打印装置,其特征在于,该打印装置上设置有权利要求9所述的液体喷头。
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