[发明专利]单层触摸屏、触摸屏设备以及电子装置有效
申请号: | 201410169702.2 | 申请日: | 2014-04-24 |
公开(公告)号: | CN104049820B | 公开(公告)日: | 2017-09-22 |
发明(设计)人: | 张靖恺;郭明 | 申请(专利权)人: | 敦泰科技有限公司 |
主分类号: | G06F3/044 | 分类号: | G06F3/044 |
代理公司: | 深圳中一专利商标事务所44237 | 代理人: | 张全文 |
地址: | 开曼群岛大开曼*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 单层 触摸屏 设备 以及 电子 装置 | ||
技术领域
本发明属于电子技术领域,尤其涉及一种单层触摸屏、触摸屏设备以及电子装置。
背景技术
传统的单层互电容触摸屏,可以实现真实多点触控,只要一层ITO(Indium Tin Oxides,氧化铟锡),成本较低;普通的结构包括玻璃-玻璃(GG)结构、玻璃-膜(GF)结构以及单层玻璃结构(OGS)。
使用单层ITO(Single Indium Tin Oxides,SITO)来做互电容的电极,同一行的电极通过透明的ITO引线连接到屏体外面,然后再在触摸有效区的外面把对应同一行的电极连接到一起。单层互电容的工艺和成本比传统两层互电容的要精简,但其图形比较复杂,在触摸屏有效区外连接的线非常多(通常要150条以上),因此导致绑定PAD(bonding pad,绑定焊盘)数量太多,走线盲区空间分配不合理,同时增加了生产难度,生产良率也会大打折扣。
另外,改进型引出线的出线方式虽然大为减少绑定PAD,可以有效地提高TP(Touch Panel,触摸屏)与FPC(Flexible Printed Circuit,柔性印刷电路板)的绑定良率,但设计中为了保持电容一致性,在驱动线和感应线之间增加了平衡地线,减弱了节点耦合电容的形成,信噪比不佳。
发明内容
基于此,有必要针对常规方式绑定良率低、耦合电容不均匀,导致信噪比低的问题,提供一种合理分配了盲区空间,减小banding pad数量,不损失信噪比的单层触摸屏。
一种单层触摸屏,该单层触摸屏包括:
感应阵列布设区;以及
边缘区,所述边缘区围绕所述感应阵列布设区;
所述感应阵列布设区布设有:第一感应阵列,包括多个并列设置的第一电极单元,每一所述第一电极单元包括第一电极与第二电极,所述第一电极与所述第二电极相耦合形成电容,所述多个第一电极单元沿第一轴向排列;
第二感应阵列,包括多个并列设置的第二电极单元,每一所述第二电极单元包括第三电极与第四电极,所述第三电极与所述第四电极相耦合形成电容,所述多个第二电极单元沿所述第一轴向排列,所述第二感应阵列与所述第一感应阵列沿第二轴向排列,所述第一轴向与所述第二轴向相互垂直;
第三感应阵列,位于所述第一感应阵列与所述第二感应阵列之间,包括多个并列设置的第三电极单元,每一所述第三电极单元包括第五电极与第六电极,所述第五电极与所述第六电极相耦合形成电容,所述多个第三电极单元沿所述第二轴向排列;
第一引接线,所述第一感应阵列的各所述第一电极和各所述第二电极分别通过单独的所述第一接线连接,并沿着第一方向延伸出触摸屏的所述感应阵列布设区到所述边缘区;
第二引接线,所述第二感应阵列的各所述第三电极和各所述第四电极分别通过单独的所述第二引接线连接,并沿着与所述第一方向相反的第二方向延伸出触摸屏的所述感应阵列布设区到所述边缘区;
第三引接线,所述第三感应阵列的各所述第五电极和各所述第六电极分别通过单独的所述第三引接线连接,并沿着第三方向延伸出触摸屏的所述感应阵列布设区到所述边缘区,所述第三方向与所述第一方向、所述第二方向不同。
另外,还提供了另一种单层触摸屏,该单层触摸屏包括:
感应阵列布设区;以及
边缘区,所述边缘区围绕所述感应阵列布设区,包括第一区域、第二区域、第三区域与第四区域,所述第一区域、所述第二区域、所述第三区域与所述第四区域分别位于所述感应阵列布设区的四侧,其中,所述第一区域与所述第二区域相对,所述第三区域与所述第四区域相对;
所述感应阵列布设区布设有:
第一感应阵列,包括多个并列设置的第一电极单元,每一所述第一电极单元包括第一电极与第二电极,所述第一电极与所述第二电极相耦合形成电容,所述多个第一电极单元沿第一轴向排列;
第二感应阵列,包括多个并列设置的第二电极单元,每一所述第二电极单元包括第三电极与第四电极,所述第三电极与所述第四电极相耦合形成电容,所述多个第二电极单元沿所述第一轴向排列,所述第二感应阵列与所述第一感应阵列沿第二轴向排列,所述第一轴向与所述第二轴向相互垂直;
第三感应阵列,位于所述第一感应阵列与第二感应阵列之间,包括多个并列设置的第三电极单元,每一所述第三电极单元包括第五电极与第六电极,所述第五电极与所述第六电极相耦合形成电容,所述多个第三电极单元沿所述第二轴向排列;
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