[发明专利]有机发光二极管显示面板在审
申请号: | 201410171530.2 | 申请日: | 2014-04-25 |
公开(公告)号: | CN105023935A | 公开(公告)日: | 2015-11-04 |
发明(设计)人: | 王舜熙;李育豪;张建平;刘文宪;翁宏滨 | 申请(专利权)人: | 群创光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 史新宏 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光二极管 显示 面板 | ||
技术领域
本发明是有关于一种显示面板,且特别是有关于一种有机发光二极管显示面板。
背景技术
随着显示技术的发展,各式显示面板不断推陈出新。有机发光二极管具有自发光(self-emissive)特性,且反应时间快、重量轻、体积薄、可挠性等优点,使得有机发光二极管显示面板成为技术发展的重点。
在有机发光二极管显示面板中,已通过金属屏蔽制程(FineMetalShadowMask,FMM)与Pentile排列的结合、激光感应热成像(Laser Induced Thermal Imaging,LITI)、白光发光二极管与彩色滤光片的结合等技术来提升显示面板的分辨率。
然而,上述各种技术均有其相对的缺点及制程瓶颈。举例来说,如金属屏蔽制程与Pentile排列的结合技术受限于金属屏蔽的精细度和耐用性,且显示面板所呈现出的分辨率亦非真实分辨率,此将导致文字边缘显示有不清晰的问题。
激光感应热成像技术在制程上需高耗电,且有机材料易因于制程中受热而劣解导致寿命降低,且面板良率亦较低。
另外,白光发光二极管与彩色滤光片的结合技术,于非白画面时期显示色彩因需通过彩色滤光片,将导致部分波长的光被吸收而损耗,且应用在大尺寸显示面板上则会有均匀性等问题尚需解决。
因此,如何时提升有机发光二极管显示面板的分辨率且降低制程难度及延长面板使用寿命,是目前研究发展的重点之一。
发明内容
本发明是有关于一种有机发光二极管显示面板,其利用不同颜色的发光单元堆栈于同一子像素,使得像素量及分辨率可以大幅提高且寿命得以增加。
根据本发明的一方面,提出一种有机发光二极管显示面板。有机发光二极管显示面板包括一像素。像素包括一第一子像素及一第二子像素。第一子像素包括一第一发光单元及一第二发光单元。第一发光单元用以发出一第一色光。第二发光单元用以发出一第二色光。第二发光单元及第一发光单元相互堆栈。第二子像素包括一第三发光单元及一第四发光单元。第三发光单元用以发出一第三色光。第四发光单元用以发出一第四色光。第四发光单元及第三发光单元相互堆栈。第一色光、第二色光、第三色光及第四色光包含一红色光、一绿色光及一蓝色光。第一色光及第二色光的组合不同于第三色光及第四色光的组合。
为了对本发明的上述及其它方面有更佳的了解,下文特举较佳实施例,并配合所附图式,作详细说明如下。
附图说明
图1绘示本发明第一实施例的有机发光二极管显示面板的示意图。
图2绘示本发明第二实施例的有机发光二极管显示面板的示意图。
图3绘示本发明第三施例的有机发光二极管显示面板的示意图。
图4绘示本发明第四实施例的有机发光二极管显示面板的示意图。
图5绘示本发明第五实施例的有机发光二极管显示面板的示意图。
图6绘示本发明第六实施例的有机发光二极管显示面板的示意图。
[标号说明]
100、200、300、400、500、600:有机发光二极管显示面板
110、210、310、410、510:像素
111、211、311、411、511、611:第一子像素
111G、211R、311R、411B、511R、611G:第一发光单元
111B、211G、311G、411G、511B、611B:第二发光单元
112、212、312、412、512、612:第二子像素
112R、212B、321WY、411WY、512WY、612R:第三发光单元
112B、212B’、312B、411R、512G、612B:第四发光单元
610:第一像素 620:第二像素
621:第三子像素 621G:第五发光单元
621R:第六发光单元 622:第四子像素
622B:第七发光单元 622R:第八发光单元
A1:第一阳极 A2:第二阳极
C1:第一阴极 C2:第二阴极
L1:第一色光 L2:第二色光
L3:第三色光 L4:第四色光
具体实施方式
第一实施例
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的