[发明专利]磁控溅射环、磁控溅射环装置及磁控溅射反应器在审
| 申请号： | 201410171588.7 | 申请日： | 2014-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN105088155A | 公开（公告）日： | 2015-11-25 |
| 发明（设计）人： | 姚力军;赵凯;相原俊夫;大岩一彦;潘杰;王学泽;吴剑波 | 申请（专利权）人： | 宁波江丰电子材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 吴敏;骆苏华 |
| 地址： | 315400 浙江省宁波*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 磁控溅射 装置 反应器 | ||
1.一种磁控溅射环，所述磁控溅射环包括内环侧壁和外环侧壁，其特征在于，所述内环侧壁具有凸台结构。
2.根据权利要求1所述的磁控溅射环，其特征在于，所述凸台结构呈网格状排列。
3.根据权利要求1所述的磁控溅射环，其特征在于，所述凸台结构为滚花图案。
4.根据权利要求3所述的磁控溅射环，其特征在于，所述滚花图案大小为20～80TPI。
5.根据权利要求3所述的磁控溅射环，其特征在于，所述凸台的顶面为平面。
6.如权利要求5所述的磁控溅射环，其特征在于，所述凸台顶面为平行四边形平面或多边形平面。
7.如权利要求5所述的磁控溅射环，其特征在于，所述凸台顶面为菱形平面。
8.如权利要求3所述的磁控溅射环，其特征在于，所述凸台的顶面面积小于所述凸台底面面积，所述凸台底面相连。
9.一种磁控溅射环装置，其特征在于，包括：
如权利要求1至8任一项所述的磁控溅射环；
定位销，设置在所述磁控溅射环的外环侧壁上，磁控溅射环通过定位销固定在磁控溅射腔室的侧壁上。
10.一种磁控溅射反应器，其特征在于，包括：
真空室，具有围绕中心轴线布置的侧壁；
溅射靶材，被密封到所述真空室的顶部；
基座，沿所述中心轴线布置成与所述溅射靶材相对，用于支撑待处理的基板；及
如权利要求1至8任一项所述的磁控溅射环，所述磁控溅射环位于所述真空室内，并位于所述溅射靶材与所述基座之间。
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