[发明专利]一种OLED显示器及其制备方法有效
申请号: | 201410171612.7 | 申请日: | 2014-04-25 |
公开(公告)号: | CN103996694A | 公开(公告)日: | 2014-08-20 |
发明(设计)人: | 孙亮 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 oled 显示器 及其 制备 方法 | ||
1.一种OLED显示器,包括多个子像素单元,其特征在于,
每个所述子像素单元均包括第一区域和第二区域;所述第一区域包括依次设置在衬底基板上的第一电极、第一有机材料功能层和第二电极;所述第二区域包括依次设置在衬底基板上的第三电极、第二有机材料功能层和第四电极;
其中,所述第一电极和所述第三电极均包括不透明金属层,所述第二电极和所述第四电极均为半透明金属电极;
所述第一电极、所述第一有机材料功能层和所述第二电极构成第一微腔,所述第三电极、所述第二有机材料功能层和所述第四电极构成第二微腔,且所述第一微腔和所述第二微腔具有不同的微腔效应。
2.根据权利要求1所述的OLED显示器,其特征在于,所述第一微腔的厚度与所述第二微腔的厚度不相同。
3.根据权利要求1所述的OLED显示器,其特征在于,所述第一电极和所述第三电极具有不同的反射率。
4.根据权利要求3所述的OLED显示器,其特征在于,针对所述第一微腔,所述第一电极与所述第一有机材料功能层接触的上表面为平面;
针对所述第二微腔,所述第三电极与所述第二有机材料功能层接触的上表面为非平面。
5.根据权利要求4所述的OLED显示器,其特征在于,所述第三电极与所述第二有机材料功能层接触的上表面具有预定值的粗糙度。
6.根据权利要求4所述的OLED显示器,其特征在于,所述第三电极与所述第二有机材料功能层接触的上表面具有凹凸不平的形状。
7.根据权利要求5或6所述的OLED显示器,其特征在于,所述OLED显示器还包括设置在所述衬底基板和所述第一电极、所述第三电极之间的平坦层;其中,位于所述第三电极下方的所述平坦层的上表面具有预定值的粗糙度或具有凹凸不平的形状。
8.根据权利要求1所述的OLED显示器,其特征在于,每个所述子像素单元还包括设置在所述衬底基板和所述第一电极或所述第三电极之间的薄膜晶体管。
9.根据权利要求8所述的OLED显示器,其特征在于,所述第一电极和所述第三电极电连接,所述第二电极和所述第四电极电连接;
所述薄膜晶体管的漏极与所述第一电极和所述第三电极电连接。
10.一种OLED显示器的制备方法,所述OLED显示器包括多个子像素单元;其特征在于,所述方法包括:
在每个所述子像素单元的第一区域和第二区域分别形成位于衬底基板上的第一电极和第三电极;所述第一电极和所述第三电极均包括不透明金属层;
在形成有所述第一电极和所述第三电极的基板上,分别形成位于所述第一区域和所述第二区域的第一有机材料功能层和第二有机材料功能层;
在形成有所述第一有机材料功能层和所述第二有机材料功能层的基板上,分别形成位于所述第一区域和所述第二区域的第二电极和第四电极;所述第二电极和所述第四电极均为半透明金属电极;
其中,所述第一电极、所述第一有机材料功能层和所述第二电极构成第一微腔,所述第三电极、所述第二有机材料功能层和所述第四电极构成第二微腔,且所述第一微腔和所述第二微腔具有不同的厚度。
11.根据权利要求10所述的方法,其特征在于,在每个所述子像素单元中,还形成位于所述衬底基板和所述第一电极或所述第三电极之间的薄膜晶体管。
12.一种OLED显示器的制备方法,所述OLED显示器包括多个子像素单元;其特征在于,所述方法包括:
在每个所述子像素单元的第一区域和第二区域分别形成位于衬底基板上的第一电极和第三电极;所述第一电极和所述第三电极均包括不透明金属层,且所述第一电极的上表面为平面,所述第三电极的上表面为非平面;
在形成有所述第一电极和所述第三电极的基板上,分别形成位于所述第一区域和所述第二区域的第一有机材料功能层和第二有机材料功能层;
在形成有所述第一有机材料功能层和所述第二有机材料功能层的基板上,分别形成位于所述第一区域和所述第二区域的第二电极和第四电极;所述第二电极和所述第四电极均为半透明金属电极;
其中,所述第一电极、所述第一有机材料功能层和所述第二电极构成第一微腔,所述第三电极、所述第二有机材料功能层和所述第四电极构成第二微腔。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的