[发明专利]干法刻蚀方法

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种干法刻蚀方法。

背景技术

干法刻蚀是一种利用等离子体进行薄膜刻蚀的技术。当气体以等离子体形式存在时，它具备两个特点：一方面等离子体中的这些气体化学活性比常态下时要强很多，根据被刻蚀材料的不同，选择合适的气体，就可以更快地与材料进行反应，实现刻蚀去除的目的；另一方面，还可以利用电场对等离子体进行引导和加速，使其具备一定能量，当其轰击被刻蚀物的表面时，会将被刻蚀物材料的原子击出，从而达到利用物理上的能量转移来实现刻蚀的目的。

在生产显示面板的过程中，需要利用干法刻蚀对玻璃基板上的多层介质层进行刻蚀，且对每一层介质层的完成刻蚀后，则需要执行一次“转换步骤”处理，“转换步骤”处理用于为下一介质层的刻蚀营造一个干净的环境。“转换步骤”的步骤具体包括关闭干法刻蚀设备中的射频模块并停止向反应腔室内通入用于被等离子体化的反应气体，与此同时，利用真空泵对反应腔室进行抽真空处理。

待“转换步骤”结束后，再向反应腔室内通入刻蚀下一介质层所需要的反应气体，并再次开启射频模块以激发反应气体形成等离子体以对下一介质层进行刻蚀。

然而，在执行“转换步骤”时，反应腔室内停止通入气体，且射频模块被关闭，使得反应腔室内的等离子体突然熄灭，此时悬浮于等离子体中的颗粒污染物会掉落在玻璃基板上，造成后续制程的污染，导致显示面板的不良。

发明内容

本发明提供一种干法刻蚀方法，可有效的避免在执行“转换步骤”过程中颗粒污染物掉落在玻璃基板上，同时，提高了抽真空的效率，减少了反应腔室内颗粒污染物的数量。

为实现上述目的，本发明提供一种干法刻蚀方法，包括：

在对第一介质层进行刻蚀后，向所述反应腔室通入第二反应气体，在第二射频功率的激发下所述第二反应气体形成等离子体，以使由第二反应气体形成的等离子体与反应腔室内的颗粒污染物结合；

对所述反应腔室进行抽真空处理；

对位于所述第一介质层下方的第二介质层进行刻蚀。

可选地，所述对第一介质层进行刻蚀包括：

向所述反应腔室通入第一反应气体，在第一射频功率的激发下所述第一反应气体形成等离子体，以使由第一反应气体形成的等离子体对第一介质层进行刻蚀；

所述第二射频功率小于所述第一射频功率。

可选地，所述对位于所述第一介质层下方的第二介质层进行刻蚀包括：

向所述反应腔室通入第三反应气体，在第三射频功率的激发下第三反应气体形成等离子体，以使由第三反应气体形成的等离子体对第二介质层进行刻蚀；

所述第三射频功率大于所述第二射频功率。

可选地，所述第二反应气体与所述第三反应气体相同。

可选地，所述第二射频功率的范围为：500～2000W。

可选地，所述第二反应气体为惰性气体。

可选地，所述惰性气体为氩气或者氦气。

可选地，在所述在第二射频功率的激发下第二反应气体形成等离子体的过程中，所述反应腔室内的气压小于20mt。

本发明具有以下有益效果：

本发明提供一种干法刻蚀方法，在对第一介质层进行刻蚀后，通过向反应腔室内通入第二反应气体，并在第二射频功率的激发下形成等离子体，该第二反应气体形成的等离子体与反应腔室内的颗粒污染物结合形成尘埃等离子体，然后再对反应腔室进行抽真空处理，本发明的技术方案可有效的避免在执行“转换步骤”过程中颗粒污染物掉落在玻璃基板上，同时，提高了抽真空的效率，减少了反应腔室内颗粒污染物的数量。

附图说明

图1为本发明实施例一提供的干法刻蚀方法的流程图；

图2为本发明实施例二提供的干法刻蚀方法的流程图；

图3为本发明实施例三提供的干法刻蚀方法的流程图；

图4为本发明实施例四提供的干法刻蚀方法的流程图。

具体实施方式

为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图对本发明提供的干法刻蚀方法进行详细描述。

实施例一

图1为本发明实施例一提供的干法刻蚀方法的流程图，如图1所示，该干法刻蚀方法包括：

步骤101：在对第一介质层进行刻蚀后，向反应腔室通入第二反应气体，在第二射频功率的激发下第二反应气体形成等离子体，以使由第二反应气体形成的等离子体与反应腔室内的颗粒污染物结合。