[发明专利]一种对沉积薄膜反应装置的处理方法、薄膜沉积方法有效

申请号：	201410171811.8	申请日：	2014-04-25
公开（公告）号：	CN105088175B	公开（公告）日：	2018-09-25
发明（设计）人：	蒙韬;汪军;李泓博;姚建裕	申请（专利权）人：	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
主分类号：	C23C16/00	分类号：	C23C16/00;B08B9/08
代理公司：	北京市磐华律师事务所 11336	代理人：	董巍;高伟
地址：	201203 ***	国省代码：	上海;31
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摘要：
搜索关键词：	一种沉积薄膜反应装置处理方法
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【权利要求书】：

1.一种对沉积薄膜反应装置的处理方法，包括：对所述反应装置进行干法清洗；

其中，在所述干法清洗中通过增加清洗时间，或在所述干法清洗中通过增加清洗时间和提高清洗气体浓度，或在所述干法清洗中通过增加清洗时间和在所述清洗中保持平稳的温度，或在所述干法清洗中通过增加清洗时间和提高清洗气体浓度以及在所述清洗中保持平稳的温度，以将所述反应装置中残留的薄膜完全清除，以去除沉积薄膜表面的颗粒缺陷；

增加清洗时间之后所述干法清洗包括第一清洗步骤、第二清洗步骤和第三清洗步骤；

其中，所述第一清洗步骤选用HF，清洗时间为25-35min；

所述第二清洗步骤选用HF，清洗时间为35-45min；

所述第三清洗步骤选用HF和F₂，清洗时间为30-40min。

2.根据权利要求1所述的处理方法，其特征在于，所述干法清洗中选用氮气作为稀释气体。

3.根据权利要求2所述的处理方法，其特征在于，所述干法清洗中通过降低所述稀释气体的流量提高所述清洗气体浓度。

4.根据权利要求2所述的处理方法，其特征在于，所述氮气的气体流量为0.5-2slm。

5.根据权利要求3所述的处理方法，其特征在于，所述氮气的气体流量为1slm。

6.根据权利要求1所述的处理方法，其特征在于，所述干法清洗时间为90-120min。

7.根据权利要求1所述的处理方法，其特征在于，所述干法清洗中选用的温度为445℃-455℃。

8.根据权利要求1所述的处理方法，其特征在于，所述处理方法中对所述反应装置的反应腔室和排气管道进行所述干法清洗。

9.一种薄膜沉积方法，所述方法包括：在沉积所述薄膜之前选用权利要求1至8之一所述的方法对反应装置进行处理。