[发明专利]一种在碳化硅衬底上生长P型石墨烯的方法有效
| 申请号： | 201410171889.X | 申请日： | 2014-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN105016328B | 公开（公告）日： | 2017-06-06 |
| 发明（设计）人： | 郭鈺;陈小龙;郭丽伟;芦伟;贾玉萍 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | C01B32/184 | 分类号： | C01B32/184 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司11280 | 代理人： | 王勇,王博 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 衬底 生长 石墨 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种生长P型石墨烯的方法，包括：
1)在含氮气氛中对SiC衬底进行退火，以在所述SiC衬底的表面吸附氮原子,
其中，退火时的温度为1000℃～2200℃，退火的时间为0.5～5小时；
2)采用SiC高温热分解法，在所述SiC衬底的所述表面生长石墨烯。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述含氮气氛包括含氮元素的气体。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述步骤1)中，退火时所述含氮气氛的压强为1～100kPa。
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述步骤1)中，退火时的温度为1200℃～1400℃。
5.根据权利要求1所述的方法，其中所述步骤1)中，在所述SiC衬底的表面吸附的氮原子的数量占SiC表面所有原子总数的比例为0.3％～20％。
6.根据权利要求1所述的方法，其中所述步骤2)中，SiC高温热分解的温度为1050℃～1700℃。
7.根据权利要求1所述的方法，其中所述步骤2)中，所述SiC衬底的高温热分解在惰性气体中进行，在所述SiC衬底的温度升至高温热分解温度之前，气氛压强在5～100kPa之间，待所述SiC衬底的温度升至高温热分解温度后，气氛压强降至300Pa以下。
8.一种根据权利要求1-7中任一权利要求的方法制备的P型石墨烯。
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