[发明专利]一种半导体器件及其制作方法和电子装置有效
| 申请号： | 201410172007.1 | 申请日： | 2014-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN105097463B | 公开（公告）日： | 2019-02-01 |
| 发明（设计）人： | 王新鹏 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/423;H01L27/11548 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制作方法 电子 装置 | ||
1.一种半导体器件的制作方法，包括：
提供半导体衬底，
在所述半导体衬底上形成有硬掩膜层，所述硬掩膜层包括依次层叠的垫氧化物层和氮化物层；
刻蚀所述硬掩膜层和所述半导体衬底，以形成浅沟槽；
在所述浅沟槽中填充第一隔离材料层，通过平坦化工艺使得所述第一隔离材料层的表面与所述硬掩膜的表面齐平，其中，所述第一隔离材料层的材料包括二氧化硅；
回刻蚀去除部分的所述第一隔离材料层，剩余的所述第一隔离材料层和所述半导体衬底的表面齐平或者剩余的所述第一隔离材料层比所述半导体衬底的表面高；
在剩余的所述第一隔离材料层上形成隔离层，其中，所述隔离层的材料包括氮化硅；
在所述隔离层上形成第二隔离材料层，所述第二隔离材料层的表面和所述硬掩膜层的表面齐平；
去除所述氮化物层和所述垫氧化物层，以露出所述半导体衬底；
在露出的所述半导体衬底上形成隧穿氧化物层；
在所述隧穿氧化物层上形成浮置栅极材料层，通过平坦化工艺使得所述浮置栅极材料层的表面和所述第二隔离材料层的表面齐平，其中，所述浮置栅极材料层的材料包括多晶硅；
去除所述第二隔离材料层，以露出所述隔离层；
在所述半导体衬底上依次形成介电层和控制栅极材料层。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述隔离层的厚度为10埃至100埃，采用CVD或者熔炉工艺形成所述隔离层。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，剩余的所述第一隔离材料层比所述半导体衬底的表面高0埃至80埃。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，采用湿法清洗工艺执行所述回刻蚀步骤，剩余的所述第一隔离材料层和所述氮化物层之间的高度差范围为300埃至1000埃。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，采用快速热氧化工艺或者炉管氧化工艺形成所述隧穿氧化物层，其中，所述隧穿氧化物层的厚度范围为50埃至180埃。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，采用湿法清洗工艺去除所述垫氧化物层。
7.一种采用如权利要求1-6中的任一方法制造的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括位于控制栅极和有源区之间的击穿电介质层，其中，所述击穿电介质层包括氧化物-氮化物-氧化物-氮化物层。
8.如权利要求7所述的器件，其特征在于，所述控制栅极和所述有源区之间的距离小于250埃。
9.一种电子装置，其特征在于，包括权利要求7-8中任一所述半导体器件。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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