[发明专利]复合腔体及其形成方法

权利要求书

1.一种复合腔体的形成方法，包括步骤：

A.提供硅衬底(101)；

B.在所述硅衬底(101)的正面形成二氧化硅层(102)；

C.对所述二氧化硅层(102)作图形化，形成一个或多个凹槽(103)，所述凹槽(103)的位置与下述步骤H中待形成的小腔体(109)的位置相对应；

D.提供键合片(104)，将所述键合片(104)与图形化的所述二氧化硅层(102)相键合，把所述凹槽(103)封闭，在所述硅衬底(101)与所述键合片(104)之间形成一个或多个密闭的微腔结构(105)；

E.在所述键合片(104)的上方形成保护膜(106)，并在所述硅衬底(101)的背面形成掩蔽层(107)；

F.对所述掩蔽层(107)作图形化，所述掩蔽层(107)的图形与下述步骤G中待形成的大腔体(108)的位置相对应；

G.以所述掩蔽层(107)为掩模，从背面刻蚀所述硅衬底(101)至其正面的所述二氧化硅层(102)，在所述硅衬底(101)中形成所述大腔体(108)；

H.以所述掩蔽层(107)和所述二氧化硅层(102)为掩模，从背面穿过所述硅衬底(101)刻蚀所述键合片(104)至其上方的所述保护膜(106)，在所述键合片(104)中形成一个或多个所述小腔体(109)，所述大腔体(108)和所述小腔体(109)构成了所述复合腔体。

2.根据权利要求1所述的复合腔体的形成方法，其特征在于，形成所述二氧化硅层(102)的方式为热氧化或者化学气相淀积。

3.根据权利要求2所述的复合腔体的形成方法，其特征在于，图形化所述二氧化硅层(102)的方式为干法刻蚀或者湿法腐蚀。

4.根据权利要求3所述的复合腔体的形成方法，其特征在于，所述键合片(104)的材料为单晶硅、多晶硅或者玻璃。

5.根据权利要求4所述的复合腔体的形成方法，其特征在于，所述掩蔽层(107)的材料为光刻胶或者半导体介质。

6.一种采用权利要求1所述的形成方法形成的复合腔体，包括开口均向下的大腔体(108)和小腔体(109)，所述大腔体(108)穿通形成于硅衬底(101)中，所述硅衬底(101)的正面形成有图形化的二氧化硅层(102)，作为所述大腔体(108)的底部；所述二氧化硅层(102)的图形与所述小腔体(109)的位置相对应；所述二氧化硅层(102)的上方形成有键合片(104)；所述小腔体(109)穿通形成于所述键合片(104)中并与所述大腔体(108)相连通；所述键合片(104)的上方形成有保护膜(106)，作为所述小腔体(109)的底部。

7.根据权利要求6所述的复合腔体，其特征在于，所述二氧化硅层(102)的形成方式为热氧化或者化学气相淀积。

8.根据权利要求7所述的复合腔体，其特征在于，所述二氧化硅层(102)的图形化方式为干法刻蚀或者湿法腐蚀。

9.根据权利要求8所述的复合腔体，其特征在于，所述键合片(104)的材料为单晶硅、多晶硅或者玻璃。