[发明专利]半导体引线框架生产工艺

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体引线框架制造工艺，尤其是利用模具冲压法制造半导体引线框架的制造工艺。 

背景技术

半导引线框架是指用于连接半导体集成块内部芯片的接触点和外部导线的薄板金属框架，它的生产原料主要是铜卷。常规的半导体引线框架主要有两种制作工艺，一种蚀刻法，一种是模具冲压法。蚀刻法是用化学物质蚀刻掉材料的一部分而制成产品，多适用于小规模生产；模具冲压法，是通过模具的冲压力冲压间歇传送的薄板材料而制成，多适用于大规模生产。模具冲压法一般有以下工艺步骤：制造出厚度和宽度符合要求的铜卷、用冲床冲压铜卷成型半导体引线框架、对成型的半导体引线框架进行表面处理、对表面处理后的半导体引线框架切断成型，最后进行检片包装。 

申请号为201010169144.1，申请日为2010.05.11，名称为一种新型高精度异形铜带的连续化生产工艺的中国发明专利申请公开了一种新型高精度异型铜带的连续化生产工艺，包括以下步骤：熔炼、上引铜杆连铸、连续挤压、开坯、强对流式退火、连续斜度轧制、展开式连续光亮退火、精整轧制、定位剪边、脱脂钝化、包装入库。该发明不再使用高精平带作为异型带坯料，而是直接采用水平连铸、上引、挤压方法提供特殊形状的异型带坯料。该工艺方法具有以下优点：工艺流程短、成品合格率高、生产成本低、产品规格、形状变更方便，适合于多品种、复杂异型带生产，特别适合大规格、复杂形状、大卷重异型带生产、生产设备投资成本低、节能效果显著。但是该发明在铜带上成型燕尾槽时，采用直接在带材上面压一条槽，然后再在同压一条更宽、更浅的槽来实现燕尾的形状；此方法的缺点是成型后带材宽度会变宽，这样就影响了带材的宽度尺寸精度，不便于冲压模具使用厚料定位。 

公开号为CN101314832，公开日为2008年12月3日的中国发明专利申请公开了一种铁合金材料、由铁合金材料制成的半导体引线框架及其制备方法，包括如下步骤：提供由铁合金材料制成的板体；将板体加工为半导体引线框架；对半导体引线框架的表面进行铜电镀处理；对半导体引线框架的表面进行镍电镀处理；对半导体引线框架的表面进行镀铜处理本发明解决了半导体引线框架容易弯曲变形的问题，减少贵重金属的使用量制备的半导体引线框架具备高强度、高导电、高导热和良好的可焊性、耐蚀性、塑封性、抗氧化性等综合性能。但是该发明提供的生产工艺在对半导体引线框架进行表面处理时，在镀镍、镀铜和镀银时，处理工艺比较简单，镀上的铜、镍和银由于杂质的存在，附着力较差，使用时可能出现镀层掉落，制造出来的半导体引线框架质量不是很好，使用寿命不长。 

公开号为CN102392280A，公开日为2012年3月28日的中国发明专利申请公开了一种半导体引线框架电镀全自动生产线，包括自动上料机构、传输机构、前处理部分、电镀槽、后处理部分和自动下料机构，自动上、下料机构主要是依靠气动驱动的，前处理部分的各个处理槽、电镀槽和后处理部分的各个处理槽的槽壁互相接靠着并列排布，传输机构是链式传输机构。在用该发明提供的生产线对引线框架进行电镀时，同样由于在电镀时对引线框的表面处理不够彻底，存在一些杂质，导致镀层附着力较差，使用时可能出现镀层掉落，制造出来的半导体引线框架质量较差，使用寿命不长。该生产线对贵重金属的使用量较大，生产成本高，而且由于排出的废水中重金属的含量高，排出后对周围环境污染较大。该生产在电镀时需要大量的水，对水的消耗量大。 

发明内容

为了克服上述制造半导体引线框架生产工艺的缺陷，本发明提供了一种半导体引线框架生产工艺，该工艺的燕尾槽成型不会引起成型后带材宽度变化，成型后的半导体引线框架尺寸精确。 

半导体引线框架生产工艺，包括熔炼、连铸、连续挤压、开坯、强对流式退火、连续斜度轧制、展开式光亮退火、精整轧制、定位剪边、脱脂钝化、冲压、表面处理、切断成型和检片包装，其特征在于：所述在精整轧制和定位剪边两工序设置有连续开槽工序，连续开槽时，用开槽机进行精密开槽处理，开槽机的转速度为1800-2000 r/min，冷却液流量为 45-50L/min。 

所述强对流式退火采用退火炉进行退火，该退火炉包括退火炉壳体、陶瓷纤维层和加热元件，所述陶瓷纤维层设置在退火炉壳体的内壁，加热元件设置在陶瓷纤维层上，其特征在于：所述退火炉壳体上设置有多个铜卷分隔装置，该铜卷分隔装置包括隔板和螺杆，在退火炉壳体和陶瓷纤维层上设置有螺纹孔，螺杆通过螺纹孔穿过退火炉壳体和陶瓷纤维层，螺杆一端位于退火炉壳体外部，另一端伸出陶瓷纤维层，隔板连接在螺杆伸出陶瓷纤维层的一端上。