[发明专利]集成无源电容扇出型晶圆级封装结构及制作方法

权利要求书

1. 一种集成无源电容扇出型晶圆级封装结构，包括扇出型封装体（1），扇出型封装体（1）包括塑封体（11）和塑封于塑封体（11）中的芯片（12），芯片（12）的正面具有第一电极（13）和第二电极（14），芯片（12）的正面与塑封体（11）的正面平齐；其特征是：在所述塑封体（11）中设置两组电容，分别为第一金属柱（21）、第二金属柱（22）、第三金属柱（23）和第四金属柱（24），第一金属柱（21）和第二金属柱（22）位于芯片（12）的一侧，第三金属柱（23）和第四金属柱（24）位于芯片（12）的另一侧；在所述塑封体（11）的正面设置绝缘层（3），在绝缘层（3）中布置第一金属层（41）、第二金属层（42）、第三金属层（43）和第四金属层（44），第一金属层（41）与第一金属柱（21）连接，第二金属层（42）与第二金属柱（21）和芯片（12）的第一电极（13）连接，第三金属层（43）与第三金属柱（23）和芯片（12）的第二电极（14）连接，第四金属层（44）与第四金属柱（24）连接；在所述第一金属层（41）、第二金属层（42）、第三金属层（43）和第四金属层（44）上分别设置第一凸点下金属层（51）、第二凸点下金属层（52）、第三凸点下金属层（53）和第四凸点下金属层（54），第一凸点下金属层（51）、第二凸点下金属层（52）、第三凸点下金属层（53）和第四凸点下金属层（54）的外表面露出绝缘层（3）的外表面，在第一凸点下金属层（51）、第二凸点下金属层（52）、第三凸点下金属层（53）和第四凸点下金属层（54）的外表面分别设置焊球（6）。

2.如权利要求1所述的集成无源电容扇出型晶圆级封装结构，其特征是：所述第一金属柱（21）和第二金属柱（22）之间填充塑封材料；所述第三金属柱（23）和第四金属柱（24）之间填充塑封材料。

3.如权利要求1所述的集成无源电容扇出型晶圆级封装结构，其特征是：所述第一金属层（41）、第二金属层（42）、第三金属层（43）和第四金属层（44）相互之间通过绝缘层（3）实现绝缘。

4.一种集成无源电容扇出型晶圆级封装结构的制作方法，其特征是，包括以下步骤：

（1）将芯片（12）扇出型封装于塑封体（11）中，得到扇出型封装体（1），芯片（12）的正面与塑封体（11）的正面平齐；

（2）在塑封体（11）上开两组电容槽，两组槽分别位于芯片（12）的两侧，每组电容槽为两个槽体，槽体之间以塑封材料隔开；

（3）在上述电容槽中填充金属，分别得到第一金属柱（21）、第二金属柱（22）、第三金属柱（23）和第四金属柱（24）；

（4）在塑封体（11）的正面涂覆绝缘材料，形成绝缘层；对绝缘层刻蚀出图形开口，露出第一金属柱（21）、第二金属柱（22）、第三金属柱（23）、第四金属柱（24）、第一电极（13）和第二电极（14）的表面；

（5）在上述绝缘层表面电镀金属，形成金属层，金属层连接第一金属柱（21）、第二金属柱（22）、第三金属柱（23）、第四金属柱（24）、第一电极（13）和第二电极（14）；

（6）对上述金属层刻蚀出图形开口，得到相互绝缘的第一金属层（41）、第二金属层（42）、第三金属层（43）和第四金属层（44）；

（7）在上述金属层的表面涂覆绝缘材料，在得到的绝缘材料上刻蚀出四个窗口，分别露出第一金属层（41）、第二金属层（42）、第三金属层（43）和第四金属层（44）的表面；

（8）在上述窗口中电镀金属，分别得到第一凸点下金属层（51）、第二凸点下金属层（52）、第三凸点下金属层（53）和第四凸点下金属层（54）；在第一凸点下金属层（51）、第二凸点下金属层（52）、第三凸点下金属层（53）和第四凸点下金属层（54）表面植球，得到焊球（6）。