[发明专利]用于纵向NPN晶体管电离辐射损伤的定量测试方法无效
| 申请号： | 201410172916.5 | 申请日： | 2014-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN103926518A | 公开（公告）日： | 2014-07-16 |
| 发明（设计）人： | 陆妩;郭旗;王信;马武英;李豫东;于新;魏莹 | 申请（专利权）人： | 中国科学院新疆理化技术研究所 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 乌鲁木齐中科新兴专利事务所 65106 | 代理人： | 张莉 |
| 地址： | 830011 新疆维吾尔*** | 国省代码： | 新疆;65 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 纵向 npn 晶体管 电离 辐射损伤 定量 测试 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种用于纵向NPN晶体管电离辐射损伤的定量测试方法，其特征在于该方法中涉及装置是由栅控纵向NPN双极晶体管和HP4142半导体参数分析仪组成，栅控纵向NPN双极晶体管，是在常规晶体管的CE和EB结钝化层表面附加栅电极，然后定量分离双极纵向NPN晶体管中电离辐射感生的陷阱电荷，具体操作按下列步骤进行：
a、利用HP4142半导体参数分析仪测试栅控纵向NPN双极晶体管的常规特性，包括基极、集电极电流和增益曲线，确定器件性能正常；
b、将步骤a中采集正常结果进行栅扫描法测试：集电极和发射极加固定电压0.6V，栅极加步进扫描电压0-80V，步长为100mV，测试基极电流Ib，获得基极电流随栅压的变化趋势Vg-Ib曲线；
c、待HP4142半导体参数分析仪采集到步骤b曲线后，确定总剂量辐照前器件的缺陷态数目；
d、将步骤b测试后的栅控纵向NPN双极晶体管进行γ射线辐照，再按步骤a-步骤c再进行测试，再将两次测试结果进行比对；
e、再利用栅扫描法对栅控纵向NPN双极晶体管在电离辐射环境中产生的陷阱数目进行分离，从而完成对纵向NPN双极晶体管辐射损伤的定量测试。
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