[发明专利]切割晶片的设备和方法、晶片吸盘、制造发光器件的方法

权利要求书

1.一种用于切割晶片的设备，包括：

晶片吸盘，构造为将所述晶片保持在其表面上，

其中所述晶片吸盘的其上保持所述晶片的表面具有等于或大于40％的反射率；

光源，构造为照射所述晶片吸盘的表面；

图像捕获装置，构造为根据由所述光源发射且被所述晶片吸盘的表面反射的光形成所述晶片的图像；

处理器，构造为根据所形成的图像来确定所述晶片上的切割线的位置；以及

切割组件，构造为沿着由所述处理器确定的所述切割线切割所述晶片。

2.如权利要求1所述的设备，其中所述晶片吸盘的其上保持所述晶片的表面具有等于或大于90的白度指数值。

3.如权利要求2所述的设备，其中所述晶片吸盘由包含铝氧化物的陶瓷制成，该铝氧化物具有等于或大于95％的纯度。

4.如权利要求1所述的设备，其中所述晶片为透明晶片。

5.如权利要求1所述的设备，其中所述晶片吸盘为多孔陶瓷，并且所述晶片通过所述陶瓷晶片吸盘的孔利用真空吸附而被保持到多孔的晶片吸盘的表面。

6.如权利要求1所述的设备，还包括粘合层，该粘合层设置在所述晶片吸盘的表面上以将所述晶片保持在所述晶片吸盘的表面上且由透明材料形成。

7.如权利要求1所述的设备，其中设置在所述晶片的表面上的多个半导体器件的电极图案阻碍由所述光源发射的光朝向所述图像捕获装置反射，并且所述图像捕获装置形成显示所述晶片的第一区域和所述晶片的第二区域的图像，在所述晶片的第一区域中由所述光源发射的光被所述晶片吸盘的表面反射到所述图像捕获装置，所述晶片的第二区域在其中具有电极图案，在所述第二区域中由所述光源发射的光没有被所述晶片吸盘的表面反射到所述图像捕获装置。

8.如权利要求1所述的设备，其中所述处理器通过执行下面的步骤确定所述晶片上的切割线的位置：

在所形成的图像中识别与设置在所述晶片上的多个电极图案的预设电极图案图像相匹配的至少一个位置；以及

根据所识别的至少一个位置和匹配的所述预设电极图案图像中的切割线的位置来确定所述晶片上的切割线的位置。

9.如权利要求1所述的设备，其中所述处理器构造为在由所述切割组件切割所述晶片之前根据所形成的图像确定所述晶片上的第一套切割线的位置，并且还构造为在沿着所述第一套切割线切割所述晶片之后根据所述晶片的另一个形成的图像来确定所述晶片上的第二套切割线的位置。

10.一种用于切割晶片的设备，包括：

晶片吸盘，构造为将所述晶片保持在其表面上，

其中所述晶片吸盘的其上保持所述晶片的表面具有等于或大于90的白度指数值；

光源，构造为照射所述晶片吸盘的表面；

图像捕获装置，构造为根据由所述光源发射且被所述晶片吸盘的表面反射的光形成所述晶片的图像；

处理器，构造为根据所形成的图像来确定所述晶片上的切割线的位置；以及

切割组件，构造为沿着由所述处理器确定的所述切割线来切割所述晶片。

11.如权利要求10所述的设备，其中所述晶片吸盘由包含铝氧化物的陶瓷制成，该铝氧化物具有等于或大于95％的纯度。

12.如权利要求10所述的设备，其中设置在所述晶片的表面上的多个半导体器件的电极图案阻碍由所述光源发射的光朝向所述图像捕获装置反射，并且所述图像捕获装置形成显示所述晶片的第一区域和所述晶片的第二区域的所述晶片的图像，在所述晶片的第一区域中由所述光源发射的光被所述晶片吸盘的表面反射到所述图像捕获装置，并且所述晶片的第二区域在其中具有电极图案，在所述第二区域中由所述光源发射的光没有被所述晶片吸盘的表面反射到所述图像捕获装置。

13.如权利要求10所述的设备，其中所述处理器通过执行下面的步骤来确定所述晶片上的切割线的位置：

在所形成的图像中识别与设置在所述晶片上的多个电极图案的预设电极图案图像相匹配的至少一个位置；以及

根据所识别的至少一个位置和匹配的所述预设电极图案图像中的切割线的位置来确定所述晶片上的切割线的位置。