[发明专利]包括沟槽晶体管单元阵列的半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

在硅半导体本体中的沟槽晶体管单元阵列，所述硅半导体本体具有第一主表面和与所述第一主表面相对的第二主表面；以及

所述半导体本体的在所述第一主表面与所述第二主表面之间的主侧面具有沿着平行于所述第一主表面和所述第二主表面的第一横向方向的第一长度，其中所述第一长度等于或者大于所述半导体本体的其它侧面的长度，

其中所述沟槽晶体管单元阵列主要包括线性栅极沟槽部分，并且至少50％的所述线性栅极沟槽部分沿着第二横向方向或者垂直于所述第二横向方向而延伸，所述第一横向方向和所述第二横向方向之间的角度在45°±15°范围内，

其中所述半导体器件是分立的功率晶体管，所述功率晶体管具有至少0.5mm²的沟槽晶体管单元阵列的面积，

其中所述半导体器件进一步包括接触焊盘，所述接触焊盘具有沿着所述第二横向方向延伸的边缘。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述半导体本体的厚度在20μm至120μm的范围内。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述角度为45°±1°。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一横向方向与所述硅半导体本体的{110}面平行。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述主侧面与所述硅半导体本体的{110}面平行或者重合。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第二横向方向与所述硅半导体本体的{100}面平行。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述沟槽晶体管单元阵列的栅极沟槽的侧面与所述硅半导体本体的{110}面平行或者重合。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述线性栅极沟槽部分包括多个不同并且平行的栅极沟槽。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中所述平行的栅极沟槽是条带状的。

10.根据权利要求8所述的半导体器件，其中所述平行的栅极沟槽的数目在500至10000范围内。

11.根据权利要求8所述的半导体器件，其中所述平行的栅极沟槽的长度在从100μm至1mm范围内。

12.根据权利要求1所述的半导体器件，其中至少50％的所述平行的栅极沟槽具有不同长度。

13.根据权利要求1所述的半导体器件，其中至少80％的所述线性栅极沟槽部分沿着所述第二横向方向延伸。

14.根据权利要求1所述的半导体器件，其中40％至50％的所述线性栅极沟槽部分沿着所述第二横向方向延伸，并且40％至50％的所述线性栅极沟槽部分垂直于所述第二横向方向延伸。

15.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述硅半导体本体包括至少一个倒角角部。

16.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述半导体器件是集成电路，所述集成电路包括功率晶体管电路块，所述功率晶体管电路块具有由所述沟槽晶体管单元阵列占据的至少0.5mm²的面积。

17.一种半导体器件，包括：

在半导体本体中的沟槽晶体管单元阵列，所述半导体本体具有第一主表面以及与所述第一主表面相对的第二主表面；

所述半导体本体的在所述第一主表面和所述第二主表面之间的主侧面具有沿着平行于所述第一主表面和所述第二主表面的第一横向方向的第一长度，其中所述第一长度等于或大于所述半导体本体的其它侧面的长度，

其中所述沟槽晶体管单元阵列主要包括线性栅极沟槽部分，并且至少50％的所述线性栅极沟槽部分沿着第二横向方向或者垂直于所述第二横向方向而延伸，所述第一横向方向和所述第二横向方向之间的角度在45°±15°范围内，

其中所述第二横向方向与所述半导体本体的{100}面平行，

其中所述半导体器件进一步包括接触焊盘，所述接触焊盘具有沿着所述第二横向方向延伸的边缘。