[发明专利]集成无源器件扇出型晶圆级封装三维堆叠结构及制作方法

权利要求书

1. 一种集成无源器件扇出型晶圆级封装三维堆叠结构，其特征是：包括IPD芯片（3）和堆叠于IPD芯片（3）正面的扇出型封装体（2），扇出型封装体（2）包括塑封材料（12）和塑封于塑封材料（12）中的芯片（13）；所述IPD芯片（3）包括玻璃基板（4），在玻璃基板（4）的正面设置IPD器件（5）和连接IPD器件（5）的金属布线层（6）；所述IPD芯片（3）正面的金属布线层（6）与芯片（13）的芯片信号端口（11）连接；在所述玻璃基板（4）的背面刻蚀形成TGV孔（7），TGV孔（7）直达金属布线层（6）；在所述玻璃基板（4）的背面和TGV孔（7）的内表面设置背面金属布线层（8），背面金属布线层（8）分为相互绝缘的两部分，该两部分背面金属布线层（8）分别与金属布线层（6）连接，并分别在两部分背面金属布线层（8）的焊盘（9）上设置焊球（10），焊球（10）与PCB板（1）连接。

2.如权利要求1所述的集成无源器件扇出型晶圆级封装三维堆叠结构，其特征是：所述芯片（13）的正面与塑封材料（12）的一表面平齐。

3.如权利要求1所述的集成无源器件扇出型晶圆级封装三维堆叠结构，其特征是：所述IPD器件（5）和金属布线层（6）与IPD芯片（1）的正面平齐。

4.如权利要求1所述的集成无源器件扇出型晶圆级封装三维堆叠结构，其特征是：所述玻璃基板（4）的热膨胀系数大于硅基板、小于PCB板（1）。

5.一种集成无源器件扇出型晶圆级封装三维堆叠结构的制作方法，其特征是，包括以下步骤：

（1）将扇出型封装体（2）和玻璃基板（4）的IPD芯片（3）进行堆叠，IPD芯片（3）正面的金属布线层（6）与扇出型封装体（2）上芯片（13）的芯片信号端口（11）连接；所述扇出型封装体（2）由芯片（13）扇出型封装于塑封材料（12）中得到；

（2）在IPD芯片（3）的背面刻蚀得到TGV孔（7），TGV孔（7）由玻璃基板（4）的背面刻蚀至正面的金属布线层（6）；

（3）在玻璃基板（4）的背面和TGV孔（7）的内表面制作背面金属布线层（8）；

（4）将背面金属布线层（8）刻蚀成相互绝缘的两部分，在两部分绝缘的背面金属布线层（8）上分别制作焊盘（9），在焊盘（9）上分别制作焊球（10）；

（5）将上述结构通过焊球（10）与PCB板（1）进行互连，完成集成无源器件扇出型晶圆级封装三维堆叠结构的制作。