[发明专利]压阻式压力传感器敏感芯片气密性硬封装方法

权利要求书

1.压阻式压力传感器敏感芯片气密性硬封装方法，其特征在于该方法按以下步骤进行：

一、先在敏感芯片(1)底面依次磁控溅射沉积Cr、Pt、Au获得金属层(1-1)；

二、在压阻式压力传感器的管座组件(3)上与敏感芯片(1)连接的位置，设有定位凸台(3-1)，所述钎焊焊片(2)与敏感芯片(1)的形状相匹配，且钎焊焊片(2)的中间设有与定位凸台(3-1)相匹配的孔，将敏感芯片(1)、钎焊焊片(2)、管座组件(3)按从上到下依次叠放，敏感芯片(1)的正面向上，钎焊焊片(2)通过中间的孔穿过定位凸台(3-1)，放置在敏感芯片(1)与管座组件(3)之间，然后采用低温钎焊技术，通过钎焊焊片(2)将敏感芯片(1)与管座组件(3)固定连接。

2.根据权利要求1所述的压阻式压力传感器敏感芯片气密性硬封装方法，其特征在于步骤二所述钎焊焊片(2)的熔点为210～230℃。

3.根据权利要求1所述的压阻式压力传感器敏感芯片气密性硬封装方法，其特征在于步骤二所述钎焊焊片(2)的材料为锡银铜合金SAC305。

4.根据权利要求1所述的压阻式压力传感器敏感芯片气密性硬封装方法，其特征在于步骤二所述钎焊焊片(2)的厚度为0.09～0.11mm。