[发明专利]采用退火方法制备高品质因数钛酸镁微波介质陶瓷

权利要求书

1.采用退火方法制备高品质因数钛酸镁微波介质陶瓷，目标合成物表达式为MgTiO₃,； 

该高品质因数钛酸镁微波介质陶瓷的制备方法，具有如下步骤： 

(1)将原料MgO和TiO₂按化学计量式MgTiO₃进行配料；将粉料放入聚酯罐中，加入去离子水和锆球后，在行星式球磨机上球磨4～24小时；； 

(2)将步骤(1)球磨后的原料放入干燥箱中，于100～120℃烘干，然后过40目筛； 

(3)将步骤(2)烘干、过筛后的粉料放入中温炉中，于850～1000℃预烧，保温2～8小时； 

(4)将步骤(3)预烧后的粉料外加质量百分比为6％～10％的石蜡作为粘合剂进行造粒，过80目筛，用粉末压片机以4～8MPa的压力制成生坯； 

(5)将步骤(4)的生坯于1250℃-1450℃烧结，保温2～8小时，制得钛酸镁微波介质陶瓷； 

(6)将步骤(5)的钛酸镁微波介质陶瓷于1100℃～1250℃下退火，保温2～14h，制得高品质因数的钛酸镁微波介质陶瓷。 

2.根据权利要求1所述的采用退火方法制备高品质因数钛酸镁微波介质陶瓷，其特征在于，所述步骤(1)采用行星式球磨机进行球磨，球磨机转速为400转/分。 

3.根据权利要求1所述的采用退火方法制备高品质因数钛酸镁微波介质陶瓷，其特征在于，所述步骤(1)的粉料与去离子水和锆球的质量比为1︰1︰1。 

4.根据权利要求1所述的采用退火方法制备高品质因数钛酸镁微波介质陶瓷，其特征在于，所述步骤(4)的生坯为直径10mm厚度5mm的原片形状。 

5.根据权利要求1所述的采用退火方法制备高品质因数钛酸镁微波介质陶瓷，其特征在于，所述步骤(5)的烧结温度为1350℃。 

6.根据权利要求1所述的采用退火方法制备高品质因数钛酸镁微波介质陶瓷，其特征在于，所述步骤(6)的退火温度为1200℃。