[发明专利]双极化Twin PLL集成电路双输出降频器在审
申请号: | 201410175343.1 | 申请日: | 2014-04-28 |
公开(公告)号: | CN103973230A | 公开(公告)日: | 2014-08-06 |
发明(设计)人: | 姜晧文 | 申请(专利权)人: | 珠海市肯普电子科技有限公司 |
主分类号: | H03D7/00 | 分类号: | H03D7/00 |
代理公司: | 中山市铭洋专利商标事务所(普通合伙) 44286 | 代理人: | 邹常友 |
地址: | 519000 广东省珠海市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 极化 twin pll 集成电路 输出 降频器 | ||
1.一种双极化Twin PLL集成电路双输出降频器,包括波导管、反射棒、极化天线以及依次导通所述极化天线的第一级放大模块、第二级放大模块、滤波模块和集成电路,其特征在于:所述第一级放大模块、第二级放大模块与滤波模块组成滤波通道,所述滤波通道有输出至所述集成电路的第一滤波输出和第二滤波输出;所述集成电路对称设有第一降频通道与第二降频通道,各降频通道分别包括偏压电路、Tone电压侦测控制电路、混波电路和中频放大器。
2.根据权利要求1所述的双极化Twin PLL集成电路双输出降频器,其特征在于:所述混波电路与中频放大器依次串接于降频通道的输入端与输出端之间,所述Tone电压侦测控制电路获取降频通道输出端电信号,经偏压电路反馈至第一级放大模块或第二级放大模块。
3.根据权利要求2所述的双极化Twin PLL集成电路双输出降频器,其特征在于:所述混波电路包括混频器、PLL锁相回路和振荡器。
4.根据权利要求3所述的双极化Twin PLL集成电路双输出降频器,其特征在于:所述集成电路设有基准频率输入端口,所述基准频率输入端口为整合于集成电路中的互补金属氧化物半导体,所述振荡器共用所述基准频率输入端口。
5.根据权利要求4所述的双极化Twin PLL集成电路双输出降频器,其特征在于:所述集成电路的输入端与滤波模块输出端之间设有极化交换器;所述极化交换器有一控制端,通过改变该控制端的输入电平来实现集成电路输入端信号的水平极化与垂直极化互换。
6.根据权利要求5所述的双极化Twin PLL集成电路双输出降频器,其特征在于:所述第一级放大模块包括第一放大器与第二放大器;所述第二放大模块包括第三放大器、第四放大器、第五放大器与第六放大器;所述第一放大器的输入端接收极化天线的垂直极化输出,所述第一放大器的输出端分别连接第三放大器、第五放大器的输入端;所述第二放大器的输入端接收极化天线的水平极化输出,所述第二放大器的输出端分别连接第四放大器、第六放大器的输入端;所述第三放大器与第四放大器的输出端连接所述滤波模块,并且经滤波后生成第一滤波输出;所述第五放大器与第六放大器的输出端连接所述滤波模块,并且经滤波后生成第二滤波输出。
7.根据权利要求6所述的双极化Twin PLL集成电路双输出降频器,其特征在于:所述第一放大器、第二放大器、第三放大器、第四放大器、第五放大器和第六放大器均为微波场效三极管或是硅锗三极管。
8.根据权利要求1-7任一项所述的双极化Twin PLL集成电路双输出降频器,其特征在于:所述极化天线包括水平极化天线与垂直极化天线;所述水平极化天线的长度为Ku波段中一定频率的四分之一波长,其放置位置距离波导管的管壁为Ku波段中一定频率的四分之一波长;所述垂直极化天线的长度为Ku波段中一定频率的四分之一波长,且其放置位置距离反射棒为Ku波段中一定频率的四分之一波长。
9.根据权利要求1-7任一项所述的双极化Twin PLL集成电路双输出降频器,其特征在于:所述滤波模块为带通滤波器。
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