[发明专利]一种碳化硅陶瓷及其低温烧结方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种碳化硅陶瓷及其烧结方法，尤其涉及一种碳化硅陶瓷及其低温烧结方法。

背景技术

随着科学技术的发展，特别是能源、空间技术、汽车工业等的发展，对材料的要求越来越苛刻，迫切需要开发一种新型的高性能结构材料。而碳化硅陶瓷具有高温强度大、抗氧化性强、耐磨损性好、热稳定性佳、热膨胀系数小、热导率大、硬度高以及抗热震和耐化学腐蚀等优良特性早已被人们认知，因此，碳化硅陶瓷作为高性能结构材料已被应用于多个领域。

但是碳化硅中的高共价键性及低扩散性使其在没有烧结助剂和外加压力的情况下难以烧结。70年代初，Prochazka等人首先以少量的B、C作为添加剂，在2100℃和无任何压力的条件下获得致密的碳化硅烧结体以来，但SiC-B-C系统属于固相烧结范畴，需要较高的烧结温度(>2100℃)，这就需要很高的热电能耗，并且容易造成晶粒粗大且均匀性差，使其断裂韧性较低，有较强的裂纹强度敏感性。这种高脆性和高的烧结温度大大限制碳化硅陶瓷的使用。因此，人们对碳化硅烧结的研究转到了液相烧结上来，现已明确的是通过液相烧结不但能大幅度降低能耗，而且能实现产品致密化。

发明内容

本发明的目的是针对现有技术中存在的上述问题，提出了一种通过在碳化硅液相烧结中添加烧结助剂，从而能在低温条件下烧结得到高致密碳化硅陶瓷。

本发明的目的可通过下列技术方案来实现：所述碳化硅陶瓷是由重量份数为75-85份的碳化硅和15-25份的烧结助剂经混合、球磨、干燥、干压成型和液相烧结而成。

碳化硅由于其高共价键结合的特征，烧结时扩散速率很低且晶界能和表面能之比很高，不易获得能量形成晶界。因此，很难采用常压烧结来制备高致密化的纯碳化硅材料。基于此，本发明碳化硅陶瓷在碳化硅中加入了烧结助剂，降低了致密化所需能量和烧结温度，然后经球磨、干燥、干压成型和液相烧结而成。

作为优选，所述烧结助剂由14.5-23份的单质铝、0.2-1份的碳化硼和0.3-1份的碳组成。

在碳化硅的液相烧结过程中加入烧结助剂可以有效降低碳化硅的烧结温度，促进碳化硅的致密化，提高碳化硅陶瓷的性能。鉴于单质铝具有熔点低(660℃)、沸点高(2500℃)，且具有耐酸性，可以理想的作为碳化硅液相烧结的一种烧结助剂。当温度高于铝的熔点660℃时，高温熔融的液态和气态的铝将扩散到富碳区域，加快碳化硅颗粒迁移，降低颗粒间的摩擦，使得颗粒重新排列，最后利用界面张力的作用将颗粒紧紧拉在一起，增强坯件收缩，从而使常温力学性能提高。此外，本发明烧结助剂还包括微量的碳化硼和碳，当温度继续升高时，在三角晶区，单质铝将和碳反应生成Al₄C₃。当温度上升到1800-1900℃时，单质铝和碳反应生成的Al₄C₃会与SiC、B₄C反应，将会有Al₈B₄C₇液相的出现，而Al₈B₄C₇液相也可以促进碳化硅的低温烧结。

另外，随着温度的升高，考虑到烧结助剂的气化和液相的挥发，本发明将烧结助剂单质铝、碳化硼的碳的重量份数控制在上述范围内，这样在高温熔融后就会有足够量的液铝加快碳化硅颗粒迁移，降低颗粒间的摩擦，使得颗粒重新排列，最后利用界面张力的作用将颗粒紧紧拉在一起，增强坯件收缩，提高碳化硅的相对密度和强度。同时由于有微量的碳化硼和碳存在，也会有足够量的Al₈B₄C₇液相生成，促进碳化硅的低温烧结。

作为优选，所述碳化硅陶瓷是由重量份数为20份的单质铝、0.6份的碳化硼、0.5份的碳组成的烧结助剂和78.9份的碳化硅经混合、球磨、干燥、干压成型和液相烧结而成。此配制是对本发明低温烧结碳化硅陶瓷的进一步优选，在此配制范围内，不仅有足够量的高温熔融的铝液加快碳化硅颗粒迁移，降低颗粒间的摩擦，使颗粒重新排列，并利用界面张力的作用将颗粒紧紧拉在一起，增强坯件收缩，而且可以形成最大比例的液相，促进烧结并有利于烧结性能的提高。

作为优选，所述碳化硅的粒径为0.1-1.2μm，所述烧结助剂单质铝、碳化硼和碳的粒径为1-5μm。本发明所选取的碳化硅和烧结助剂的粒径较小且均匀，减少或避免团聚现象的发生。

本发明的另一个目的是提供上述碳化硅陶瓷的低温烧结方法，所述低温烧结方法包括以下步骤：