[发明专利]一种超低损耗的高频信号移相处理器件

权利要求书

1.一种超低损耗的高频信号移相处理器件，包括衬底（1）、电介质薄膜（2）及导体（3），所述电介质薄膜（2）设置于衬底（1）上，所述导体（3）设置于电介质薄膜（2）上，其特征在于，所述导体（3）为超导材料制成。

2.根据权利要求1所述的超低损耗的高频信号移相处理器件，其特征在于，所述导体（3）与电介质薄膜（2）之间设置有第一金属层（4）。

3.根据权利要求1或2所述的超低损耗的高频信号移相处理器件，其特征在于，所述导体（3）包括传输线和参考地，所述传输线位于中间，所述参考地分设于传输线的两侧。

4.根据权利要求1或2所述的超低损耗的高频信号移相处理器件，其特征在于，所述超导材料为镧钡铜氧、钇钡铜氧、铋锶钙铜氧、铊钡钙铜氧、铅锶钇铜氧或钡钾铋氧。

5.一种超低损耗的高频信号移相处理器件，包括衬底（1）、第二金属层（5）、电介质层（6）及传输线层（7），所述第二金属层（5）镀设于衬底（1）上形成参考地，所述电介质层（6）设置于第二金属层（5）上，所述传输线层（7）设置于所述电介质层（6）上，其特征在于，所述传输线层（7）和第二金属层（5）均为超导材料制成。

6.根据权利要求5所述的超低损耗的高频信号移相处理器件，其特征在于，所述传输线层（7）与电介质层（6）之间设置有第三金属层（8）。

7.根据权利要求5所述的超低损耗的高频信号移相处理器件，其特征在于，所述衬底（1）与第二金属层（5）之间设有第四金属层（9）。

8.根据权利要求5或6或7所述的超低损耗的高频信号移相处理器件，其特征在于，所述超导材料为镧钡铜氧、钇钡铜氧、铋锶钙铜氧、铊钡钙铜氧、铅锶钇铜氧或钡钾铋氧。