[发明专利]一种可抑制高频辐射损耗的微带线介质移相器有效
| 申请号： | 201410176501.5 | 申请日： | 2014-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN103956540B | 公开（公告）日： | 2017-03-22 |
| 发明（设计）人： | 陈书明;张金英;宁希;池雅庆;梁斌 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军国防科学技术大学 |
| 主分类号： | H01P1/18 | 分类号： | H01P1/18;H01Q3/34 |
| 代理公司： | 湖南兆弘专利事务所(普通合伙)43008 | 代理人： | 周长清 |
| 地址： | 410073 湖南省长沙市开福区砚瓦池正街47号*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 可抑制 高频 辐射 损耗 微带 介质 移相器 | ||
【权利要求书】：
1.一种可抑制高频辐射损耗的微带线介质移相器，包括采用依次叠放布置的衬底（1）、参考地电极层（2）、电介质薄膜层（3）及传输线层（4），其特征在于，在所述衬底（1）、参考地电极层（2）、电介质薄膜层（3）和传输线层（4）中至少一层结构上设置光子晶体结构（7）。
2.根据权利要求1所述的可抑制高频辐射损耗的微带线介质移相器，其特征在于，所述光子晶体结构（7）由按照周期性规律变化的材料介质构成。
3.根据权利要求2所述的可抑制高频辐射损耗的微带线介质移相器，其特征在于，所述材料介质为孔（5）和/或柱体（6）。
4.根据权利要求3所述的可抑制高频辐射损耗的微带线介质移相器，其特征在于，所述孔（5）和柱体（6）为圆柱形、方柱形、三角柱形、六边形柱体。
5.根据权利要求3所述的可抑制高频辐射损耗的微带线介质移相器，其特征在于，所述孔（5）和柱体（6）以等间距周期性或间距渐变方式排布。
6.根据权利要求3或4或5所述的可抑制高频辐射损耗的微带线介质移相器，其特征在于，相邻所述孔（5）或所述柱体（6）之间的中心距离要小于或等于所屏蔽的电磁波波长的1/2。
7.根据权利要求3或4或5所述的可抑制高频辐射损耗的微带线介质移相器，其特征在于，所述孔（5）或所述柱体（6）的高度为光子晶体结构（7）所在层结构的厚度。
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