[发明专利]元件封装方法及其结构

权利要求书

1.一种元件封装方法，其特征在于，包括﹕

提供槽型基座以及盖体，并在所述槽型基座的底部设置感测元件；

将所述盖体覆盖所述槽型基座，并在所述盖体与所述槽型基座的边缘部之间设置密封体；

使用镭射照射所述槽型基座的所述边缘部，以熔融所述密封体，使所述盖体与所述边缘部结合；以及

使所述盖体与所述槽型基座之间的密封空间处于真空状态。

2.如权利要求1所述的元件封装方法，其特征在于，所述感测元件为温度感测器或红外线热影像器。

3.如权利要求1所述的元件封装方法，其特征在于，还包括在真空室中进行封装。

4.如权利要求1所述的元件封装方法，其特征在于，所述槽型基座由陶瓷材料或半导体材料制成，所述盖体由透光材料或玻璃材料制成。

5.如权利要求4所述的元件封装方法，其特征在于，所述密封体为金属合金材料。

6.如权利要求5所述的元件封装方法，其特征在于，还包括:

在所述盖体上设置第一黏着层以及在所述边缘部设置第二黏着层；

当所述镭射照射加热时，所述密封体、所述第一黏着层以及所述第二黏着层被熔融而相融合。

7.如权利要求1所述的元件封装方法，其特征在于，还包括使用所述镭射照射所述盖体，以间接加热所述密封体；或是使用所述镭射穿过所述盖体而直接照射所述密封体，以熔融所述密封体。

8.如权利要求1所述的元件封装方法，其特征在于，所述槽型基座还包括至少一抽气孔，用以抽出所述密封空间中的气体而形成所述真空状态。

9.如权利要求8所述的元件封装方法，其特征在于，所述至少一抽气孔设置于所述镭射照射的路径上，当所述镭射加热熔融所述密封体时，所述至少一抽气孔被封闭。

10.如权利要求9所述的元件封装方法，其特征在于，所述至少一抽气孔的上孔壁具有凹陷部，所述凹陷部用于容置固态材料，当所述镭射加热所述至少一抽气孔的邻近区域时，所述固态材料被熔融而封闭所述抽气孔。

11.如权利要求9所述的元件封装方法，其特征在于，所述至少一抽气孔与所述边缘部之间具有通孔，当所述镭射加热所述密封体时，熔融的所述密封体通过所述通孔流到所述抽气孔中，凝固后封闭所述抽气孔。

12.如权利要求1所述的元件封装方法，其特征在于，还包括在所述盖体的下表面、或是所述槽型基座的所述底部或内侧壁设置或涂布吸气剂。

13.如权利要求12所述的元件封装方法，其特征在于，所述吸气剂设置于所述下表面邻近所述槽型基座的所述边缘部位置，当所述镭射照射所述边缘部时，所述吸气剂被加热而活化以吸收气体。

14.如权利要求12所述的元件封装方法，其特征在于，还包括设置多个吸气剂，将所述多个吸气剂的一部分设置于邻近所述边缘部，而将所述多个吸气剂的其余部分设置于远离所述边缘部，当所述镭射照射所述边缘部时，仅加热活化邻近于所述边缘部的所述吸气剂。

15.一种元件封装结构，其特征在于，适用于镭射真空封装，包括﹕

感测元件；

槽型基座，所述感测元件设置于所述槽型基座的底部；

盖体，覆盖所述槽型基座；

密封体，设置于所述盖体与所述槽型基座的边缘部之间；

抽气孔，设置于邻近所述边缘部，用以抽出所述盖体与所述槽型基座之间形成的密封空间中的气体以形成真空状态，所述抽气孔的上孔壁具有凹陷部，所述凹陷部用于容置固态材料。

16.如权利要求15所述的元件封装结构，其特征在于，当镭射照射所述边缘部以加热熔融所述密封体时，所述固态材料被熔融而封闭所述抽气孔。

17.一种元件封装结构，其特征在于，适用于镭射真空封装，包括﹕

感测元件；

槽型基座，所述感测元件是设置于所述槽型基座的底部；

盖体，覆盖所述槽型基座；

密封体，设置或涂布于所述盖体与所述槽型基座的边缘部之间；

吸气剂，设置在所述盖体的下表面、或是所述槽型基座的所述底部或内侧壁，且邻近所述边缘部。