[发明专利]用于LED驱动器老化测试的负载电路及负载装置

说明书

技术领域

本发明涉及LED驱动器的老化测试，尤其涉及用于LED驱动器老化测试的负载装置。

背景技术

LED驱动器在制备后为减少早期故障机率需进行老化测试(Burn-In Test)，以剔除部份易于故障的LED驱动器。所谓“老化测试”为一种信赖度试验，是将复数个LED驱动器结合于一老化板(Burn-In Board)上，使其处于预设的测试条件下，加速早期故障发生，进而除去先天具有制程缺失(短使用寿命)的LED驱动器，以确保产品可靠性。

参考图1，目前老化测试采用的是纯电阻负载板A，使用水泥电阻B(30W/个)模拟LED负载，根据不同LED驱动器所能承受的负载来设计不同的负载板(水泥电阻的串并联等)。因此，同一块负载板只能供同一机种使用，若欲测试不同机种，需另外设计不同负载的负载板。再者，每批同机种的LED驱动器在量产测试时所需的负载板用量约240个到300个，在不同机种无法共用的情况下，每个机种都需使用近300个负载板，这样既浪费资源又浪费成本。

发明内容

本发明的目的是提供一种可供不同机种测试使用的共用型负载电路及负载装置。

为了实现上有目的，本发明公开了一种用于LED驱动器老化测试的负载电路，该负载电路包括若干负载分路和与若干所述负载分路相对应的若干通断开关，每一所述负载分路包括MOS管、齐纳二极管和电阻，所述齐纳二极管接于所述MOS管的栅极和漏极之间，所述电阻接于所述MOS管的栅极和源极之间，且任一所述负载分路之MOS管的源级与下一所述负载分路之MOS管的漏极相连，若干所述通断开关分别接于对应负载分路之MOS管的漏极和栅极之间。

与现有技术相比，本发明将多个MOS管串联，并分别与一通断开关相连，在每一MOS管的漏极(D)跟栅极(G)之间串联齐纳二极管，在通断开关断开时，电流穿过齐纳二极管，利用齐纳二极管的逆崩电压，让MOS管的栅极(G)跟源极(S)之间有压差，驱动MOS管导通，两个支路(流经MOS管和流经齐纳二极管再流经电阻)的电流汇流后进入下一负载分路；在通断开关闭合时，MOS管的漏极和源极短路，电流直接流过电阻，此时MOS管的栅极跟源极之间会有压差驱动MOS管导通，两个支路(流经MOS管和直接流经电阻)的电流汇流后进入下一负载分路；综上，在测试具有不同输出电压的机种时，只需调整若干通断开关的开闭，让整个回路的压差总合(断开的负载分路中齐纳二极体的逆崩电压总合)为LED驱动器所需提供的输出电压，即可连接待测LED驱动器进行测试，以使本发明所述负载电路为可供不同机种测试使用的共用型负载电路。

较佳地，所述负载电路还包括发光二极管，所述发光二极管接于所述负载电路的输出端，便用使用者了解目前负载电路的使用情况。

较佳地，每一所述负载分路包括一个或两个以上的齐纳二极管。其中，齐纳二极管的数目和逆崩电压大小可由技术人员预先设定。

较佳地，所述MOS管为NMOS管，导通电阻小。

本发明还提供了一种用于LED驱动器老化测试的负载装置，包括电路板和至少一组负载电路，所述负载电路安装于所述电路板上且包括若干负载分路和与若干所述负载分路相对应的通断开关，每一所述负载分路包括MOS管、齐纳二极管和电阻，所述齐纳二极管接于所述MOS管的栅极和漏极之间，所述电阻接于所述MOS管的栅极和源极之间，且若干组所述负载分路的MOS管接在一起；所述通断开关接于对应负载分路之MOS管的漏极和栅极之间。其中，若干所述通断开关并行设置于一开关盒内，所述开关盒位于若干所述负载分路的一端。

与现有技术相比，本发明可用于测试具有不同输出电压的机种，测试时，只需调整通断开关断开的数量，让整个回路的压差总合(齐纳二极体的逆崩电压总合)为LED驱动器的输出电压，即可连接待测LED驱动器进行测试。另一方面，将若干所述通断开关并行设置于一开关盒内，便于使用者调整若干通断开关的状态，操作方便。

较佳地，所述负载装置还包括散热件，所述MOS管与所述散热件相连。由于工作时，无论该负载分路是否工作，电流总要流经该负载分路的MOS管，造成MOS管发热，本方案使得便于所述MOS管散热。

具体地，所述散热件包括垂直设置于所述电路板上的散热板和凸设于所述散热板两侧的若干散热片，且每侧的若干所述散热片沿若干所述负载分路设置方向以一定间距凸设于所述散热板的上部分，所述MOS管与所述散热板的下部分相连。