[发明专利]叠层组合式MEMS芯片的制造方法及其叠层组合式MEMS芯片有效

专利信息
申请号: 201410178952.2 申请日: 2014-04-30
公开(公告)号: CN103922273A 公开(公告)日: 2014-07-16
发明(设计)人: 华亚平 申请(专利权)人: 安徽北方芯动联科微系统技术有限公司
主分类号: B81C1/00 分类号: B81C1/00;B81B7/00
代理公司: 蚌埠鼎力专利商标事务所有限公司 34102 代理人: 王琪;牛涛
地址: 233042*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 组合式 mems 芯片 制造 方法 及其
【说明书】:

技术领域

发明属于MEMS芯片制造技术领域,具体是涉及一种叠层组合式MEMS芯片,本发明还涉及这种叠层组合式MEMS芯片的制造方法。

背景技术

MEMS(Micro-Electro-Mechanical Systems)是微机电系统的缩写,MEMS制造技术利用微细加工技术,特别是半导体圆片制造技术,制造出各种微型机械结构,结合专用控制集成电路(ASIC),组成智能化的微传感器、微执行器、微光学器件等MEMS元器件。MEMS元器件具有体积小、成本低、可靠性高、抗恶劣环境能力强、功耗低、智能化程度高、易校准、易集成的优点,被广泛应用于消费类电子产品(如手机、平板电脑、玩具、数码相机、游戏机、空中鼠标、遥控器、GPS等)、国防工业(如智能炸弹、导弹、航空航天、无人飞机等)以及工业类产品(如汽车、机器人、智能交通、工业自动化、环境监测、平台稳定控制、现代化农业、安全监控等),MEMS元器件逐渐成为物联网技术的基石。 

随着便携式电子产品,如手机、平板电脑等市场的迅猛增长,消费类电子产品已成为MEMS元器件的最大市场,几乎每个便携式电子产品中都会用到多个MEMS元器件,以智能手机为例,它用到了陀螺仪、加速度计、高度计、麦克风、电子指南针、调谐天线、滤波器等。随着市场对MEMS元器件的要求越来越严格,既要体积小、性能高,又要价格低、组合式MEMS元器件,特别是组合式MEMS运动传感器的市场份额越来越大。组合式MEMS元器件是将二种或二种以上的MEMS元器件的功能集中在一个元器件中,如陀螺仪+加速度计、加速度计+电子指南针、陀螺仪+加速度计+电子指南针等组合式运动传感器,它们大多是将独立的MEMS芯片通过封装的办法组合而成的,也有直接将三轴加速度计和三轴陀螺仪芯片做在同一个MEMS芯片中的,这就是组合式MEMS运动传感器芯片。但现有产品中,不同的MEMS结构都是制作在同一MEMS层上,即加速度计和陀螺仪,或者二个量程不同的陀螺仪水平方向排列,如Invensense、Bosch、STMicroelectronics等的产品,由于不同的MEMS结构利用同一MEMS层制作,设计灵活性差,而且,MEMS陀螺仪和加速度计的工作原理不一样,陀螺仪在较低压力下工作性能最佳,一般在0.001大气压以下,而加速度计在较高压力下工作性能最佳,一般在0.1大气压以上,这就要求MEMS芯片同时满足两者需求,即将MEMS陀螺仪结构制作在较低气压中,将MEMS加速度计结构制作在较高的气压中。现有的双压力MEMS芯片圆片级封装方法由德国Fraunhofer-Institut für Siliziumtechnologie的K. Reimer, Ch. Schr?der, M. Wei?等人在《Dual pressure chip capping technology》一文中提出的,是在一个密封腔中制作有吸气剂,在另一个密封腔中没有吸气剂,当他们在圆片键合时密封腔中封入活性气体和惰性气体的混合物,然后加热后处理,有吸气剂的密封腔内的活性气体被吸收,只剩下惰性气体,内部压力较低,根据混合气体的比例不同,压力可接近真空;而没有吸气剂的密封腔内活性气体不会被吸收,气体压力不会变化,压力较高,这样达成双压力圆片级封装目的,此方法需要用到吸气剂,而且吸气剂还需要图形化,成本较高。

发明内容

本发明要解决的技术问题是克服现有技术的不足,提供一种叠层组合式MEMS芯片的制造方法,以满足组合式MEMS芯片中不同的MEMS结构对不同气压、不同材料的要求;以及便携式电子产品对元器件体积最小化的要求。

本发明要解决的另一个技术问题是提供一种叠层组合式MEMS芯片,该芯片不需要在密封腔内放入吸气剂,就可以满足组合式运动传感器芯片对不同压力的要求,而且本芯片尺寸小、集成度高、成本低、市场竞争力强。

为解决上述技术问题,本发明提供了一种叠层组合式MEMS芯片的制造方法,包括以下步骤:

(1)第一MEMS圆片形成:底板圆片的材料为<100>晶向的单晶硅,通过一般的半导体加工技术,在底板圆片上表面生长底板绝缘层,其材料为二氧化硅,通过涂胶,曝光、显影,蚀刻等半导体加工工艺在底板表面上蚀刻出至少一个底板凹腔,底板上表面未被蚀刻的部分成为底板密封区和第一硅柱,在所述第一硅柱和底板密封区表面上都有底板绝缘层保留;

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