[发明专利]一种制造高介电聚合物复合薄膜的方法无效
申请号: | 201410178975.3 | 申请日: | 2014-04-30 |
公开(公告)号: | CN103963408A | 公开(公告)日: | 2014-08-06 |
发明(设计)人: | 杨亚杰;袁文涛;杨文耀;杨晓洁;徐建华;蒋亚东 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | B32B27/08 | 分类号: | B32B27/08;B32B27/12;B32B27/30;B32B27/28;C08G61/12 |
代理公司: | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 | 代理人: | 谭新民 |
地址: | 610000 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 制造 高介电 聚合物 复合 薄膜 方法 | ||
1.一种制造高介电聚合物复合薄膜的方法,其特征在于,包括:
将介电聚合物溶于第一有机溶剂中,获得介电聚合物分散液;
将所述介电聚合物分散液的至少一部分铺展于LB膜槽中的超纯水表面,用LB膜法将所述超纯水表面的介电聚合物薄膜的至少一部分转移至基片表面;
将纳米粒子和氧化剂溶于第二有机溶剂与超纯水组成的混合溶液中,获得纳米粒子/氧化剂分散液;
将所述纳米粒子/氧化剂分散液的至少一部分沉积于所述基片上的所述介电聚合物薄膜表面,在基片上获得介电聚合物/氧化剂/纳米粒子复合薄膜;
将形成了所述介电聚合物/氧化剂/纳米粒子复合薄膜的所述基片置于导电聚合物单体气氛中进行化学气相沉积,获得介电聚合物/导电聚合物/纳米粒子复合薄膜;
在所述介电聚合物/导电聚合物/纳米粒子复合薄膜表面形成介电聚合物薄膜,获得介电聚合物/导电聚合物/纳米粒子/介电聚合物复合薄膜;
将所述介电聚合物/导电聚合物/纳米粒子/介电聚合物复合薄膜进行热处理并从所述基片剥离,获得高介电聚合物复合薄膜。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述介电聚合物为聚偏氟乙烯、聚酰亚胺、聚乙烯或者聚苯乙烯。
3.如权利要求1所述的方法,其特征在于:所述第一有机溶剂为N, N二甲基甲酰胺、N, N二甲基乙酰胺、甲醇或者正丁醇;所述第二有机溶剂为N, N二甲基甲酰胺、N, N二甲基乙酰胺、甲醇和正丁醇中的一种或两种与超纯水形成的混合溶剂。
4.如权利要求1所述的方法,其特征在于:所述纳米粒子为钛酸钡纳米粒子、钛酸锶纳米粒子、钛酸锆纳米粒子、聚偏氟乙烯纳米粒子、聚酰亚胺纳米粒子、聚乙烯纳米粒子和聚苯乙烯纳米粒子中的一种或者两种。
5.如权利要求1所述的方法,其特征在于:所述氧化剂为三氯化铁或者甲基苯磺酸铁。
6.如权利要求1所述的方法,其特征在于:所述导电聚合物单体为3,4-乙烯二氧噻吩或者噻吩。
7.如权利要求1所述的方法,其特征在于:所述基片为氧化铟锡、铝片或钢片。
8.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述将所述介电聚合物/导电聚合物/纳米粒子/介电聚合物复合薄膜进行热处理包括:将所述介电聚合物/导电聚合物/纳米粒子/介电聚合物复合薄膜在180-200℃下热处理60-80 分钟。
9.如权利要求1所述的方法,其特征在于:所述介电聚合物分散液中,介电聚合物的浓度为1摩尔/升至6摩尔/升。
10.如权利要求1所述的方法,其特征在于:所述纳米粒子/氧化剂分散液中,所述氧化剂的浓度为15毫克/毫升至30毫克/毫升,所述纳米粒子的浓度为20毫克/毫升至40毫克/毫升。
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