[发明专利]一种单方向发射的光泵浦氮化镓微激光器及其制备方法

权利要求书

1.一种单方向发射的光泵浦氮化镓微激光器，其特征在于，该器件以硅基氮化物晶片为载体，包括硅衬底层（1）、设置在所述硅衬底层（1）上表面一侧边缘的氮化镓平台、与所述氮化镓平台连接的氮化镓悬臂梁、与所述氮化镓悬臂梁连接的非对称薄膜微腔结构，所述非对称薄膜微腔结构下方设置有贯穿硅衬底层（1）的空腔，使得非对称薄膜微腔结构和氮化镓悬臂梁完全悬空； 

所述非对称薄膜微腔结构由氮化镓构成，包括圆形或圆环形的本体、设置在所述本体周向外侧的突出锥角，所述突出锥角由本体圆周切线、本体圆周上弧线和本体外的弧线围成，所述本体外的弧线与本体圆周相交的夹角为锐角。

2.一种制备权利要求1所述单方向发射的光泵浦氮化镓微激光器的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：

第一步：在硅基氮化镓晶片的氮化镓层（2）上表面旋涂光刻胶，然后采用光学光刻技术在旋涂的光刻胶层上定义如权利要求1所述的非对称薄膜微腔结构和悬臂梁；

第二步：采用刻蚀技术向下刻蚀，直至硅衬底层（1）的上表面，从而将所述第一步中定义出的非对称薄膜微腔结构和悬臂梁转移至硅基氮化镓晶片的氮化镓层（2）中，最后去除残余的光刻胶； 

第三步：在硅基氮化镓晶片上下表面分别旋涂光刻胶，然后采用光学光刻技术在硅衬底层（1）下表面的光刻胶层中定义出空腔区域的刻蚀窗口；

第四步，采用深硅刻蚀技术，通过所述刻蚀窗口从下往上刻蚀硅衬底层（1），直至氮化镓层（2）的下表面，在硅衬底层（1）中形成一个空腔，使非对称薄膜微腔结构和悬臂梁悬空。