[发明专利]一种硫化锌半导体薄膜的简单高效制备方法

权利要求书

1.一种硫化锌半导体薄膜的简单高效制备方法，其特征在于：包括如下步骤：

(1) 合成单源前驱体：采用沉淀法合成单源黄原酸锌前驱体；

(2) 制备前驱体溶液：将单源黄原酸锌前驱体溶解在吡啶或含吡啶基团溶剂中，制备出均匀的浓度为0.01-2.5g/ml的黄原酸锌前驱体溶液；

(3) 制备硫化锌薄膜：将黄原酸锌前驱体溶液涂覆到清洗好的衬底上形成前驱体薄膜，然后经过一定温度、时间和气氛的退火，就可得到硫化锌薄膜或颗粒层。

2. 根据权利要求1所述的一种硫化锌半导体薄膜的简单高效制备方法，其特征在于：所述单源黄原酸锌前驱体为不同链长的烷基，即乙基黄原酸锌、丙基黄原酸锌、异丙基黄原酸锌、丁基黄原酸锌、异丁基黄原酸锌、叔丁基黄原酸锌、戊基黄原酸锌、异戊基黄原酸锌和叔戊基黄原酸锌中的一种或几种。

3. 根据权利要求1所述的一种硫化锌半导体薄膜的简单高效制备方法，其特征在于：所述沉淀法合成黄原酸锌前驱体，是由黄原酸钠或黄原酸钾与可溶的锌盐反应生成黄原酸锌沉淀，过滤、洗剂、干燥得单源黄原酸锌前驱体。

4. 根据权利要求1所述的一种硫化锌半导体薄膜的简单高效制备方法，其特征在于：所述单源黄原酸锌前驱体也可采用有机合成方法制备。

5. 根据权利要求1所述的一种硫化锌半导体薄膜的简单高效制备方法，其特征在于：所述退火温度为110-350 ℃，退火时间为5-120分钟， 退火气氛为空气、真空、氮气、氩气、氢气中的一种或几种。

6. 根据权利要求1所述的一种硫化锌半导体薄膜的简单高效制备方法，其特征在于：所述涂覆方法为旋转涂覆法、滴涂法、浸涂法、喷雾法或喷墨打印法。

7. 根据权利要求1所述的一种硫化锌半导体薄膜的简单高效制备方法，其特征在于：所述衬底为刚性衬底，如玻璃片、硅片；或柔性衬底，如金属片、塑料片；或多孔材料，如多孔的氧化钛、氧化铝。