[发明专利]具有子单元的功率半导体模块及对应的系统

权利要求书

1.一种功率半导体模块(1)，所述功率半导体模块具有壳体(2)以及至少一个采用具有上部和下部开关的半桥拓扑形式的开关装置(3)，其中，所述开关装置(3)本身由多个同样采用半桥拓扑形式的、彼此相对电绝缘的子单元(30)构成，其中，每个所述子单元(30)具有分别构造为恰好一个半导体开关的上部和下部子开关(32、34)，其中，上部的和下部的子开关(32、34)借助内部的负载连接元件(40)彼此符合电路要求地连接，并且其中，所述子单元(30)具有不同电势的负载接合元件(50、52、54)，所述负载接合元件面式地构造并且在它们的延伸部上以构造成部分堆栈(5)的方式紧邻地布置，其中，每个子单元(30)的负载接合元件(50、52、54)都以与其它子单元的负载接合元件电绝缘的方式穿过壳体(3)伸向外部，并且在外部所述负载接合元件具有每个子单元(30)自己的接触装置(504、524、544)，其中，相应在其纵边侧上相邻的子单元(30)彼此镜像对称地布置，其中，每个子单元(30)具有正直流电压电势和负直流电压电势以及交流电压电势，并且这些负载电势与负载接合元件(50、52、54)符合极性要求地连接，其中，在所述部分堆栈(5)中将具有交流电压电势的所述负载接合元件(52)布置在具有正直流电压电势的与具有负直流电压电势的所述负载接合元件(50、54)之间，并且在此，负载接合元件分别通过电绝缘的薄膜(56、58)彼此分隔开。

2.根据权利要求1所述的功率半导体模块，其中，所述内部的负载连接元件(40)构造为各自独立的金属成形体(400)、引线复合连接体(402、404)或薄膜连接体。

3.根据权利要求1所述的功率半导体模块，其中，每个子单元(30)都具有自己的基底(300)，或至少两个子单元(30)具有共同的基底。

4.根据权利要求1所述的功率半导体模块，其中，所述接触装置(504、524、544)构造为压入接触件。

5.根据权利要求1所述的功率半导体模块，其中，各子单元(30)布置有与所述子开关(32、34)相邻的电容器(6)，并且所述电容器联接在两个直流电压电势之间。

6.一种系统(100)，所述系统具有电容器装置(7)、根据上述权利要求中任意一项所述的功率半导体模块(1)、以及连接所述功率半导体模块(1)的外部连接装置(8)，其中，外部连接装置(8)构造为彼此相互绝缘的导线元件(80、84)的面式的堆栈，其中，每个导线元件(80、84)与功率半导体模块(1)的接触装置(504、544)以及与电容器装置(7)的接合装置符合极性要求地连接，或者其中，外部连接装置具有多个导线对，所述导线对分别把具有子单元(30)的直流电压电势的接触装置(504、544)与电容器装置(7)的配属的接触装置符合极性要求地连接。