[发明专利]半导体器件及其形成方法在审
| 申请号： | 201410180839.8 | 申请日： | 2014-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN103956353A | 公开（公告）日： | 2014-07-30 |
| 发明（设计）人： | 许乐;黄奕仙;杨斌 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
1.半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：
提供一衬底；
在所述衬底上形成金属层；
在所述金属层上形成第一图形化的光阻层，并以其为掩膜刻蚀所述金属层，形成第一金属图形；以及
在所述第一金属图形上形成第二图形化的光阻层，并以其为掩膜刻蚀所述第一金属图形，形成第二金属图形，所述第二金属图形的下部作为金属互连线，所述第二金属图形的上部作为金属层间连线。
2.如权利要求1所述半导体器件的形成方法，其特征在于，在所述衬底上形成金属层之前，还包括：
在所述衬底上形成金属前介质层以及贯穿所述金属前介质层的插塞；以及
在所述金属前介质层上形成黏合阻挡层。
3.如权利要求2所述半导体器件的形成方法，其特征在于，刻蚀所述金属层一并刻蚀所述黏合阻挡层。
4.如权利要求2所述半导体器件的形成方法，其特征在于，刻蚀所述第一金属图形一并刻蚀所述黏合阻挡层。
5.如权利要求2所述半导体器件的形成方法，其特征在于，所述黏合阻挡层包括Ti层以及形成于所述Ti层上的TiN层。
6.如权利要求1所述半导体器件的形成方法，其特征在于，形成第二金属图形后，还包括：
在所述衬底以及第二金属图形上形成金属间介质层；以及
对所述金属间介质层进行化学机械研磨，直至暴露所述第二金属图形。
7.如权利要求1所述半导体器件的形成方法，其特征在于，所述金属层为铝金属层。
8.如权利要求1所述半导体器件的形成方法，其特征在于，采用氯气或氯化硼刻蚀所述第一金属图形。
9.如权利要求1所述半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一图形化的光阻层的图形与所述金属互连线的形状相同。
10.如权利要求1所述半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一图形化的光阻层的图形与所述金属层间连线的形状相同。
11.一种半导体器件，采用如权利要求1至10中任意一项的方法形成。
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