[发明专利]X射线管以及阳极靶有效
申请号: | 201410181024.1 | 申请日: | 2014-04-30 |
公开(公告)号: | CN104134602A | 公开(公告)日: | 2014-11-05 |
发明(设计)人: | 阿武秀郎;米泽哲也 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝;东芝电子管器件株式会社 |
主分类号: | H01J35/08 | 分类号: | H01J35/08;H01J35/10 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 张鑫 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 射线 以及 阳极 | ||
1.一种X射线管,其特征在于,包括:
电子射出源,该电子射出源射出电子;
阳极靶,该阳极靶包括:靶层,该靶层利用来自所述电子射出源的电子来射出X射线;以及基体,该基体对所述靶层进行支承,且由碳化物强化型钼合金构成;
真空密封外壳,该真空密封外壳中收纳有所述电子射出源及所述阳极靶;
扩散障壁层,该扩散障壁层在所述基体的表面的一部分上利用粉末冶金法而与所述基体形成为一体,且由碳元素含量低于所述基体的高熔点金属构成,以及
热辐射膜,该热辐射膜形成在所述扩散障壁层的表面的至少一部分上,且由金属氧化物构成。
2.如权利要求1所示的X射线管,其特征在于,
所示扩散障壁层抑制所述基体所含有的碳元素成分到达所述热辐射膜。
3.如权利要求1或2所述的X射线管,其特征在于,
所述扩散障壁层利用粉末冶金法来与所述基体及所述靶层形成为一体。
4.如权利要求1至3的任一项所述的X射线管,其特征在于,
从所述扩散障壁层表面到所述基体为止的最短距离为1mm以上。
5.如权利要求1至4的任一项所述的X射线管,其特征在于,
所述扩散障壁层是在将所述扩散障壁层中的碳元素含量换算成质量时为0.005%以下的纯钼。
6.一种阳极靶,该阳极靶包括:靶层,该靶层利用来自电子射出源的电子来射出X射线;以及基体,该基体对所述靶层进行支承,且由碳化物强化型钼合金构成,其特征在于,包括:
扩散障壁层,该扩散障壁层在所述基体的表面的一部分上利用粉末冶金法而与所述基体形成为一体,且由碳元素含量低于所述基体的高熔点金属构成,以及
热辐射膜,该热辐射膜由金属氧化膜构成,形成在所述扩散障壁层的表面的至少一部分上。
7.如权利要求6所述的阳极靶,其特征在于,
所述扩散障壁层利用粉末冶金法而与所述基体及所述靶层形成为一体。
8.如权利要求6或7所述的阳极靶,其特征在于,
从所述扩散障壁层表面到所述基体为止的最短距离为1mm以上。
9.如权利要求6至8的任一项所述的阳极靶,其特征在于,
所述扩散障壁层是在将所述扩散障壁层中的碳元素含量换算成质量时为0.005%以下的纯钼。
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