[发明专利]一种硅片母合金的制备方法

权利要求书

1.一种硅片母合金的制备方法，其特征在于，将氯硅烷与第IIIA族元素的三氯化物、第IIIA族元素的氢化物、第VA族元素的三氯化物、第VA族元素氢化物中的一种或多种，在还原炉或外延生长炉内，通过氢气进行还原反应制得硅片母合金，其中，所述第IIIA族元素为硼或铝，所述第VA族元素为磷或砷，所述氯硅烷为精制氯硅烷高沸物、精制氯硅烷低沸物中的一种或两种，

其中，所述精制氯硅烷高沸物为精制氯硅烷的提纯过程产生的沸点较高的氯硅烷，即塔釜采出氯硅烷，其中磷杂质含量较高；所述精制氯硅烷低沸物为精制氯硅烷的提纯过程产生的沸点较低的氯硅烷，即塔顶采出氯硅烷，其中硼杂质含量较高。

2.根据权利要求1所述的硅片母合金的制备方法，其特征在于，所述氯硅烷还包括精制氯硅烷。

3.根据权利要求1所述的硅片母合金的制备方法，其特征在于，所述还原反应的还原温度为1000～1200℃。

4.根据权利要求1所述的硅片母合金的制备方法，其特征在于，在氯硅烷与第IIIA族元素的三氯化物、第IIIA族元素的氢化物、第VA族元素的三氯化物、第VA族元素氢化物中的一种或多种的混合物中，第IIIA族元素的三氯化物、第IIIA族元素的氢化物、第VA族元素的三氯化物、第VA族元素氢化物中的一种或多种的含量为0.1ppmw～1000ppmw。

5.根据权利要求1所述的硅片母合金的制备方法，其特征在于，氢气与第IIIA族元素的三氯化物、第IIIA族元素的氢化物、第VA族元素的三氯化物、第VA族元素氢化物中的一种或多种的混合物中，第IIIA族元素的三氯化物、第IIIA族元素的氢化物、第VA族元素的三氯化物、第VA族元素氢化物中的一种或多种的含量为0.1ppma～100000ppma。

6.根据权利要求1所述的硅片母合金的制备方法，其特征在于，该方法的具体步骤为：将所述氯硅烷与所述第IIIA族元素的三氯化物或所述第VA族元素的三氯化物混合得到第一混合物。

7.根据权利要求6所述的硅片母合金的制备方法，其特征在于，还包括对所述第一混合物通过吸附除去所述氯硅烷中的金属杂质。

8.根据权利要求1所述的硅片母合金的制备方法，其特征在于，该方法的具体步骤为：将所述第IIIA族元素的三氯化物、所述第IIIA族元素的氢化物、所述第VA族元素的三氯化物、所述第VA族元素氢化物中的一种与所述氢气混合得到第二混合物，将所述氯硅烷与所述第二混合物通入到所述还原炉或所述外延生长炉内。

9.根据权利要求8所述的硅片母合金的制备方法，其特征在于，对所述氯硅烷通过吸附除去其中的金属杂质。

10.根据权利要求7或9所述的硅片母合金的制备方法，其特征在于，所述金属杂质为铁、铜、钙、锌、铝中的一种或几种。