[发明专利]鳍式场效应管的形成方法

权利要求书

1.一种鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底表面形成有若干分立的鳍部；

采用沉积工艺形成覆盖于所述鳍部表面的屏蔽层，且所述沉积工艺的反应气体包括主源气体和氧源气体，其中，主源气体为含有鳍部材料原子的气体；

在所述屏蔽层表面形成光刻胶膜；

对所述光刻胶膜进行曝光处理以及显影处理，形成图形化的光刻胶层；

以所述图形化的光刻胶层为掩膜，对部分鳍部进行掺杂工艺；

去除所述图形化的光刻胶层；

去除所述屏蔽层。

2.如权利要求1所述鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述沉积工艺为高纵宽比沉积工艺。

3.如权利要求2所述鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述主源气体为硅源气体，所述氧源气体为O₂。

4.如权利要求3所述鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述高纵宽比沉积工艺为高纵宽比化学气相沉积工艺，且高纵宽比化学气相沉积工艺的工艺参数为：硅源气体流量为20sccm至2000sccm，氧源气体流量为10sccm至1000sccm，反应腔室压强为1毫托至50托，反应腔室温度为450度至800度。

5.如权利要求1所述鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述沉积工艺为原子层沉积工艺。

6.如权利要求5所述鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述主源气体为硅源气体，所述氧源气体为O₂。

7.如权利要求6所述鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述原子层沉积工艺的工艺参数为：硅源气体流量为20sccm至2000sccm，氧源气体流量为10sccm至1000sccm，反应腔室压强为1毫托至50托，反应腔室温度为0度至120度，射频功率为1000瓦至3000瓦。

8.如权利要求5所述鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，在形成所述屏蔽层之后还包括步骤：对所述屏蔽层进行退火处理。

9.如权利要求8所述鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述退火处理的工艺参数为：退火温度为550度至1150度，退火时长为20min至150min，退火处理在N₂或He氛围下进行。

10.如权利要求1所述鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述屏蔽层的材料为氧化硅。

11.如权利要求1所述鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，采用干法刻蚀、湿法刻蚀或干法刻蚀和湿法刻蚀相结合的工艺去除所述屏蔽层。

12.如权利要求11所述鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述湿法刻蚀工艺的刻蚀液体为氢氟酸溶液；通过SiCoNi刻蚀系统执行所述干法刻蚀工艺，干法刻蚀工艺的刻蚀气体包括NH₃和HF。

13.如权利要求1所述鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述显影处理的显影液为含有四甲基氢氧化铵的显影液。

14.如权利要求1所述鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，鳍部的形成步骤包括：提供初始基底；在所述初始基底表面形成图形化的牺牲层；在所述初始基底表面形成紧挨牺牲层的侧墙层；去除所述牺牲层；以所述侧墙层为掩膜刻蚀初始基底形成鳍部，刻蚀后的初始基底为衬底。

15.如权利要求1所述鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，在相邻鳍部之间的衬底表面形成有隔离层，且隔离层顶部表面低于鳍部顶部表面，屏蔽层位于隔离层表面。

16.如权利要求15所述鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，采用流体化学气相沉积工艺形成所述隔离层。

17.如权利要求1所述鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述掺杂工艺为离子注入工艺，离子注入的注入离子为N型离子或P型离子。