[发明专利]存储阵列的操作方法和存储器

说明书

一种存储阵列的操作方法和存储器，第一编程操作包括：将第m行数据存储单元对应的第一待编程数据进行取反操作以获得所述第m行数据存储单元对应的第二待编程数据，基于第二待编程数据对所述第m行数据存储单元进行编程操作，将标识数据设置为数据1；第二编程操作包括：基于所述第m行数据存储单元对应的第一待编程数据对所述第m行数据存储单元进行编程操作，将标识数据设置为数据0；对所述第m行数据存储单元进行读取操作；读取操作包括：获得所述第m行数据存储单元保存的已编程数据，将所述已编程数据和所述第m行数据存储单元对应的标识数据进行异或运算，将所述异或运算后的结果作为所述第m行数据存储单元的读取结果。

技术领域

本发明涉及一种存储阵列的操作方法和存储器。

背景技术

电熔丝(efuse)技术是根据多晶硅熔丝特性发展起来的一种技术。电熔丝的初始电阻值很小，当有大电流经过电熔丝时，电熔丝被熔断，其电阻值倍增。因此，由电熔丝构成的储存单元以判断电熔丝是否被熔断来得知其内部储存的数据。

如图1所示，现有电熔丝存储器包括：m条字线、n个列选晶体管、n条位线、n个灵敏放大器和电熔丝存储阵列，m和n均为正整数。

m条字线包括：第1条字线WL1、第2条字线WL2、…、第m条字线WLm。

n个列选晶体管包括：第1个列选晶体管M1、第2个列选晶体管M2、第3个列选晶体管M3、…、第n个列选晶体管Mn，所述n个列选晶体管的源极均连接电源电压VDD。

n条位线包括：第1条位线BL1、第2条位线BL2、第3条位线BL3、…、第n条位线BLn，所述n条位线与所述n个列选晶体管的漏极一一对应连接。

n个灵敏放大器包括：第1个灵敏放大器SA1、第2个灵敏放大器SA2、第3个灵敏放大器SA3、…、第n个灵敏放大器SAn，所述n个灵敏放大器与所述n条位线一一对应连接。

电熔丝存储阵列包括：呈m行n列排布的存储单元。所述m条字线与所述m行存储单元一一对应，所述n条位线与所述n列存储单元一一对应，一条字线和一条位线对应一个存储单元。

每个存储单元包括：行选晶体管和电熔丝。所述行选晶体管的栅极连接与所述存储单元对应的字线，所述行选晶体管的漏极连接所述电熔丝的第一端，所述行选晶体管的源极接地GND，所述电熔丝的第二端连接与所述存储单元对应的位线。以第1行1列的存储单元10为例，存储单元10对应第1条字线WL1和第1条位线BL1。存储单元10包括行选晶体管M0和电熔丝F0，行选晶体管M0的栅极连接第1条字线WL1，行选晶体管M0的漏极连接电熔丝F0的第一端，行选晶体管M0的源极接地GND，电熔丝F0的第二端连接第1条位线BL1。

通过对列选晶体管的栅极施加相应的电压可以控制列选晶体管导通或截止，通过对字线施加相应的电压可以控制一行存储单元中的行选晶体管导通或截止。当存储单元中的行选晶体管导通且与该存储单元对应的列选晶体管也导通时，位于该存储单元中的电熔丝会被熔断。存储单元中的电熔丝被熔断的操作可以称之为对该存储单元进行烧写操作。电熔丝是否被熔断可以根据电阻值来判断，当电阻值大于一定的电阻阈值时视为电熔丝被熔断，当电阻值该电阻阈值时视为电熔丝未被熔断。

存储单元中的电熔丝被熔断后无法就再进行烧写操作，所以存储单元在编程操作过程中只能被烧写一次。通常将数据1视为需进行烧写操作的数据，即，对数据1进行编程操作时需熔断保存数据1的存储单元中的电熔丝，对数据0进行编程操作时无需熔断保存数据0的存储单元中的电熔丝。

然而，存储单元容易出现编程操作失败，即烧写操作之后电熔丝仍未被熔断，这导致存储单元保存的数据出现错误，从而读取结果错误，存储器的生产良率变低。

发明内容

本发明解决的问题是现有存储器的生产良率较低。