[发明专利]一种通过Ga离子轰击对石墨烯掺杂改性的方法

权利要求书

1.一种通过Ga离子轰击对石墨烯掺杂改性的方法，采用由Ga离子源、外加电场、透镜系统、偏转系统、气体注入系统、计算机组成的聚焦离子束系统，将样品放在位于密闭腔室中的样品台上，其特征是具有以下步骤：

（1）采用机械剥离法制备石墨烯薄膜并转移到二氧化硅氧化层的单晶硅衬底上作为样品，按照样品的标记位置，移动样品的目标区域至透镜系统正下方，用气体注入系统对密闭腔室抽真空；

（2）用探测器探测样品的位置，将样品此时的位置信号经扫描单元、图形发生器传给计算机；通过计算机和图形发生器在样品上绘制出需要的离子轰击区域；

（3）通过计算机设置聚焦离子束系统的工作参数对石墨烯进行离子轰击，轰击时，Ga离子源受热液化，在外加电场的作用下形成离子流，离子流在偏转系统的作用下到达样品表面进行离子轰击，改变轰击时间对石墨烯进行不同程度的改性。

2.根据权利要求1所述的通过Ga离子轰击对石墨烯掺杂改性的方法，其特征是：聚焦离子束系统的工作参数是：离子能量为30KV，离子束电流为10pA，轰击时间为 1~1000μs。

3.根据权利要求1所述的通过Ga离子轰击对石墨烯掺杂改性的方法，其特征是：步骤（1）中对密闭腔室抽真空时，使密闭腔室中的真空度为10^-5Torr。