[发明专利]支承单元和基板处理设备

说明书

技术领域

此处所公开的本发明涉及支承单元和基板处理设备，并且更具体地涉及支承单元以及利用等离子的基板处理设备。

背景技术

为了制造半导体装置，可以在基板上执行诸如影印石板术、刻蚀、灰化、离子注入、薄膜气相沉积以及清洁之类的各种过程以在基板上形成所需的图案。在这些过程之中，刻蚀过程为用于移除形成在基板上的薄膜的选择加热区域的过程并且包括湿法刻蚀和干法刻蚀。

为了执行干法刻蚀，使用利用等离子的刻蚀设备。通常，为了形成等离子，电磁场形成在室的内部空间中并且将设置在室中的处理气体激发成处于等离子状态。

等离子表示由离子、电子以及自由基形成的电离气体的状态。等离子通过非常高的温度、强电场或射频(RF)电磁场来产生。在制造半导体装置的过程中，刻蚀过程通过利用等离子来执行。刻蚀过程由于包括在等离子中的与基板碰撞的离子粒子来实现。

通常，为了在基板处理过程期间控制基板的温度，加热单元设置在支承单元中。加热单元在分成多个加热区域的同时设置在基板支承构件中，从而控制用于基板的每个加热区域的温度。对于每个加热区域而言，当加热单元设置为多个加热单元时，由于必须向所述多个加热单元分别提供电力，因此设置了连接至外部电源的多个端子。此处，相应的端子形成在与基板的相应的加热区域对应的位置上。图1为一般的静电吸盘1250。参照图1，中央部和边缘部分别包括一对端子1251a和1252a。设置有端子1251a和1252a的加热区域A比没有设置端子1251a和1252a的加热区域B设置有更高的温度。因此，难以均匀地控制加热区域A和加热区域B的温度。由于此，基板的温度不能被控制成处于预先设定的温度。

发明内容

本发明提供了一种基板处理设备，该基板处理设备包括能够在基板处理过程期间精确地控制基板的温度的支承单元。

本发明的效果不限于以上所描述的，并且本领域的普通技术人员将很清楚地从说明书和附图中地理解到以上没有提到的效果。

本发明的实施方式提供了一种支承基板的支承单元，该支承单元包括本体和加热单元，其中，该本体包括多个加热区域，并且在该本体的顶部表面上设置有基板，该加热单元加热本体。此处，加热单元包括加热线路、端子以及连接线路，其中，该加热线路分别设置在多个加热区域中以彼此独立地控制多个加热区域的温度，该端子设置至本体并接收来自外部的电力，该连接线路将加热线路彼此互相对应地连接至端子。另外，端子在俯视图中设置在多个加热区域中的一个加热区域中。

在某些实施方式中，所述多个加热区域可以包括中央部以及围绕该中央部的多个边缘部，并且端子可以设置在中央部中。

在其他实施方式中，所述多个加热区域可以包括中央部以及围绕该中央部的一个边缘部，并且，端子可以设置在中央部中。

仍然在其他实施方式中，所述多个加热区域可以包括中央部以及围绕该中央部的一个或多个边缘部，并且，端子可以设置在中央部中。

还在其他实施方式中，连接线路可以设置至本体。

还在其他实施方式中，本体还可以包括用于冷却本体的冷却流动通道。

在另外的实施方式中，所述多个端子可以设置成在俯视图中与冷却流动通道重叠。

在本发明的其他实施方式中，基板处理设备包括：形成有内部空间的室；支承单元，该支承单元位于室中并支承基板；气体供给单元，该气体供给单元将处理气体供给到室中；以及等离子源单元，该等离子源单元通过处理气体产生等离子。此处，该支承单元包括本体和加热单元，其中，该本体包括多个加热区域并且在该本体的顶部表面上设置有基板，该加热单元加热本体。另外，该加热单元包括：加热线路，该加热线路分别设置在多个加热区域中以彼此独立地控制多个加热区域的温度；端子，该端子设置至本体并接收来自外部的电力；以及连接线路，该连接线路将加热线路彼此互相对应地连接至端子。另外，端子在俯视图中设置在所述多个加热区域中的一个加热区域中。

在某些实施方式中，所述多个加热区域可以包括中央部以及围绕该中央部的多个边缘部，并且，端子可以设置在中央部中。

在其他实施方式中，所述多个加热区域可以包括中央部以及围绕该中央部的一个边缘部，并且端子可以设置在中央部中。

仍然在其他实施方式中，所述多个加热区域可以包括中央部以及围绕该中央部的一个或多个边缘部，并且，端子可以设置在中央部中。

还在其他实施方式中，连接线路可以设置至本体。

还在其他实施方式中，本体还可以包括用于冷却本体的冷却流动通道。