[发明专利]双极性电极电化学发光成像电解池

说明书

技术领域

本发明属于电化学发光设备或装置技术领域，具体涉及到利用双电极的电场富集效应、场诱导电化学发光电解池。

背景技术

双极性电极是一个不与外电源连接而置于驱动阴极和阳极之间电解液中的导体。当一个足够强的电场施加于电解质溶液时，即使这个导体与外电源没有直接的电连接，法拉第反应也能在导体的两端同时发生，其中靠近驱动阴极的一端发生氧化反应，称为阳极，靠近驱动阳极的一端发生还原反应，称为阴极。电化学发光是在电极上施加一定的电压使电极反应产物之间或电极反应产物与溶液中某组分之间进行化学反应而产生的一种光辐射。在电解池中加入发光试剂，如钌联吡啶-三丙胺，鲁米诺-过氧化氢等，在驱动电极两端施加电压，则会在双极性电极的一端检测到发光信号。传统的双极性电极通过标准光刻法直接在电解池的基板上制作而成，通道模具也同样用标准光刻法制得，再经过浇注聚二甲基硅氧烷和凝固剂、加热固化、脱模，将其与双极性电极基板进行不可逆封装四个步骤，即可得到双极性电极与聚二甲基硅氧烷电解池通道封合的整体。此法制作复杂，而且由于双极性电极易损伤，电解池通道重复利用率低。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于克服上述传统的双极性电极电化学电解池的缺点，提供一种设计合理、结构简单的双极性电极电化学发光成像电解池。

解决上述技术问题所采用的技术方案是：在下基片的上表面设置有中基片，中基片的上表面设置有上基片，在上基片的中心位置加工有电解池c，电解池c的底为中基片，在上基片和中基片的中心位置加工有通道b，通道b的底为下基片，在上基片及中基片上通道b的左端加工有左储液槽a、右端加工有右储液槽d，通道b与左储液槽a和右储液槽d相联通。

本发明的电解池c的形状为正方形电解池凹槽或长方形电解池凹槽；通道b的形状为长方形凹槽，长方形凹槽的长边长＞正方形凹槽的边长，正方形凹槽的边长＞长方形凹槽的宽边长。本发明的左储液槽a、右储液槽d、通道b的中心线与电解池c的水平中心线相重合。

本发明的左储液槽a的形状为圆形凹槽，圆形凹槽的直径＞通道b的宽，右储液槽d的形状与左储液槽a的形状完全相同。

本发明的正方形电解池凹槽的边长为6～9mm，长方形电解池凹槽长×宽为6×9。本发明的通道b的长为16～22mm、宽为2～3mm。本发明的左储液槽a和右储液槽d的直径为3～5mm。

本发明的正方形电解池的边长最佳为8.5mm。本发明的通道b的最佳长为20mm、宽为3mm。本发明的左储液槽a、右储液槽d的最佳直径为4mm。

由于本发明的电解池与双极电极相互独立，可重复使用，非透明材质的双极性电极(如金、银等)，电极阵列面朝上，用正置显微镜从上方检测；在有台阶的情况下，电极面朝下不会接触到池底，用倒置显微镜从下方检测，扩展了电解池的适用范围。本发明具有设计合理、结构简单、可重复使用、正置和倒置显微镜通用等优点，可在双极性电极电化学发光成像分析中推广应用。

附图说明

图1是本发明实施例1的结构示意图。

图2是图1的A-A剖视图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明进一步详细说明，但是本发明不限于下述的实施例。

实施例1

如图1、2所示，本实施例的双极性电极电化学发光成像电解池由上基片1、中基片2、下基片3联接构成。

在下基片3的上表面用胶粘接有中基片2，中基片2的上表面用胶粘接有上基片1，上基片1、中基片2、下基片3为有机玻璃片。在上基片1的中心位置加工有电解池c，电解池c的结构为正方形凹槽，正方形凹槽的底为中基片2，正方形凹槽的边长为8.5mm，在上基片1和中基片2的中心位置加工有通道b，通道b的形状为长方形凹槽，长方形凹槽的底为下基片3，长方形凹槽的长为20mm、宽为3mm，通道b用于装检测用的电化学发光试剂，在上基片1及中基片2上通道b的左端加工有左储液槽a、右端加工有右储液槽d，左储液槽a和右储液槽d的形状为圆形凹槽，直径为4mm，圆形凹槽的底为下基片3。通道b分别与左储液槽a和右储液槽d相联通，左储液槽a、右储液槽d、通道b的中心线与电解池c的水平中心线相重合，电解池c用于安装双性电极4的玻璃基板，双性电极4已在电化学中广泛应用并在文献报道。

实施例2