[发明专利]低共模耦合效应的片上电感及其设计方法

权利要求书

1.一种片上电感的设计方法，所述片上电感生成于晶圆基底之上，其包括第一连接端、第二连接端及连接于第一连接端和第二连接端之间的线路，所述线路绕成多匝线圈，

其特征在于，其包括：

确定所述片上电感的中间抽头是否需要经过所述线圈的中心并穿过所述线圈，如果是，则将所述线圈的匝数设计为奇数，如果否，则将所述线圈的匝数设计为偶数，使得所述中间抽头、所述第一连接端和第二连接端位于所述线圈的同侧。

2.根据权利要求1所述的片上电感的设计方法，其特征在于，所述片上电感整体形成沿一对称轴的轴对称图形，

该对称轴穿过所述线圈的中心，

第一连接端位于该对称轴的一侧，第二连接端位于该对称轴的另一侧并与第一连接端沿所述对称轴对称，所述中间抽头位于所述对称轴上，并沿所述对称轴成自对称图形。

3.根据权利要求1所述的片上电感的设计方法，其特征在于，

所述线路中的一部分位于基底上的第一结构层，所述线路中的另一部分位于基底上的第二结构层，所述第一结构层与所述第二结构层属于所述基底上的不同的结构层。

4.根据权利要求1所述的片上电感的设计方法，其特征在于，其还包括：

确定是否必须为所述片上电感设置中间抽头，如果否，则不为所述片上电感设置中间抽头，如果是，才执行确定所述片上电感的中间抽头是否需要穿过所述线圈的步骤。