[发明专利]一种可工程化的MEMS加速度计

权利要求书

1.一种可工程化的MEMS加速度计，包括加速度敏感芯片(1)、信号转换电路、信号调节电路，其特征在于，所述加速度计还包括温度传感器(10)，所述温度传感器(10)紧邻所述加速度敏感芯片(1)；所述加速度敏感芯片(1)、信号转换电路和温度传感器(10)封装为独立的第一模块，所述信号调节电路在调试后封装为独立的第二模块，所述第二模块晚于第一模块封装。

2.根据权利要求1所述可工程化的MEMS加速度计，其特征在于，所述第一模块包括第一金属管壳(31)以及设置在所述第一金属管壳(31)内的第一基板(4)、加速度敏感芯片(1)、信号转换电路和温度传感器(10)；所述第一基板(4)、加速度敏感芯片(1)和温度传感器(10)设置在所述第一金属管壳(31)的底座上，所述信号转换电路设置在所述第一基板(4)上。

3.根据权利要求1所述可工程化的MEMS加速度计，其特征在于，所述信号转换电路包括C-V转换电路(2)、电压基准源裸芯片(5)。

4.根据权利要求1所述可工程化的MEMS加速度计，其特征在于，所述第二模块包括第二金属管壳(32)以及设置在所述第二金属管壳(32)底座上的第二基板(6)、信号调节电路，所述信号调节电路设置在所述第二基板(6)上。

5.根据权利要求1所述可工程化的MEMS加速度计，其特征在于，所述信号调节电路包括校正和反馈电路(7)、零位调节电路(8)和滤波电路(9)。

6.根据权利要求1所述可工程化的MEMS加速度计，其特征在于，所述温度传感器(10)为微型铂电阻温度传感器。

7.根据权利要求2或4所述可工程化的MEMS加速度计，其特征在于，所述第一金属管壳(31)和第二金属管壳(32)为可伐合金材料，所述第一基板(4)和第二基板(6)为陶瓷基板。

8.根据权利要求2所述可工程化的MEMS加速度计，其特征在于，所述加速度敏感芯片(1)通过共晶焊工艺焊接在所述第一金属管壳(31)的底座上；所述温度传感器(10)通过导热胶与所述第一金属管壳(31)的底座相粘结。

9.根据权利要求1所述可工程化的MEMS加速度计，其特征在于，所述加速度敏感芯片(1)包括多个测量体，每个所述测量体包括：质量块(22)以及梳齿结构(24)；所述梳齿结构(24)包括从所述质量块(22)上延伸出的活动梳齿(25)，以及与所述活动梳齿(25)相互间隔设置的固定梳齿(26)，所述活动梳齿(25)与所述固定梳齿(26)之间形成差分检测电容；所述梳齿结构(24)为四组，分别交叉设置在所述质量块(22)的两端，其中，在因加速度产生位移时，第一组梳齿结构(241)、第二组梳齿结构(242)与第三组梳齿结构(243)、第四组梳齿结构(244)活动间隙变化方向相反，第一组梳齿结构(241)和第二组梳齿结构(242)活动间隙变化方向相同，输出一电信号，第三组梳齿结构(243)和第四组梳齿结构(244)活动间隙变化方向相同，输出一电信号。

10.根据权利要求9所述可工程化的MEMS加速度计，其特征在于，在膨胀或收缩时，第一组梳齿结构(241)和第二组梳齿结构(242)活动间隙变化方向相反，第三组梳齿结构(243)和第四组梳齿结构(244)活动间隙变化方向相反。

11.根据权利要求9所述可工程化的MEMS加速度计，其特征在于，所述加速度敏感芯片(1)还包括设置在所述测量体外的框架(21)，所述框架(21)上还设置有防撞止挡(27)，所述防撞止挡(27)与所述质量块(22)的间隙为1-3微米。