[发明专利]一种可异地弯钢双银LOW-E玻璃及制备方法

权利要求书

1.一种可异地弯钢双银LOW-E玻璃，包括有玻璃基片(1)，其特征在于：在玻璃基片的复合面上由内到外依次相邻地复合有九个膜层，其中第一膜层即最内层为Si₃N₄层(21)，第二层为AZO层(22)，第三层为Ag层(23)，第四层为NiCrNy层(24)，第五层为ZnSn层(25)，第六层为AZO层(26)，第七层为Ag层(27)，第八层为NiCrOy层(28)，最外层为Si₃N₄层(29)。

2.根据权利要求1所述的可异地弯钢双银LOW-E玻璃，其特征在于所述第一膜层的Si₃N₄层(21)的厚度为25～45nm，所述第二层AZO层(22)的厚度为5～15nm，所述第六层AZO层(26)的厚度为5～15nm。

3.根据权利要求1所述的可异地弯钢双银LOW-E玻璃，其特征在于所述第三层Ag层(23)的厚度为5～15nm，所述第七层Ag层(27)的厚度为5～15nm。

4.根据权利要求1所述的可异地弯钢双银LOW-E玻璃，其特征在于所述第四层NiCrNy层(24)的厚度为1.5～3nm，所述第八层NiCrOy层(28)的厚度为1.5～3nm。

5.根据权利要求1所述的可异地弯钢双银LOW-E玻璃，其特征在于所述第五层ZnSn层(25)的厚度为70～100nm，所述最外层Si₃N₄层(29)的厚度为30～55nm。

6.一种制备可异地弯钢双银LOW-E玻璃的方法，其特征在于包括如下步骤：

(1)磁控溅射Si₃N₄层，用交流中频电源、氮气作反应气体溅射半导体材料SiAl重量比Si:Al＝90:10，密度96％；

(2)磁控溅射AZO层，用交流中频电源溅射陶瓷钛靶；

(3)磁控溅射Ag层，用交流电源溅射；

(4)磁控溅射NiCrNy层，用直流电源溅射，用氮气做反应气体；

(5)磁控溅射ZnSn层，用交流电源溅射，用氧气做反应气体；

(6)磁控溅射AZO层，用中频交流电源溅射陶瓷Zn靶，为Ag层作铺垫；

(7)磁控溅射Ag层，用交流电源溅射；

(8)磁控溅射NiCrOy层，用直流电源溅射，用氧气做反应气体，渗少量氧气；

(9)磁控溅射Si₃N₄层，用交流中频电源、氮气作反应气体溅射半导体材料SiAl重量比Si:Al＝90:10，密度96％。

7.根据权利要求1所述的制备可异地弯钢双银LOW-E玻璃的方法，其特征在于所述第一膜层的Si₃N₄层(21)的厚度为25～45nm，所述第二层AZO层(22)的厚度为5～15nm，所述第六层AZO层(26)的厚度为5～15nm。

8.根据权利要求1所述的可异地弯钢双银LOW-E玻璃，其特征在于所述第三层Ag层(23)的厚度为5～15nm，所述第七层Ag层(27)的厚度为5～15nm。

9.根据权利要求1所述的可异地弯钢双银LOW-E玻璃，其特征在于所述第四层NiCrNy层(24)的厚度为1.5～3nm，所述第八层NiCrOy层(28)的厚度为1.5～3nm，所述第五层ZnSn层(25)的厚度为70～100nm，所述最外层Si₃N₄层(29)的厚度为30～55nm。