[发明专利]基于射频直流反馈的功率放大器在审

专利信息
申请号: 201410182787.8 申请日: 2014-04-30
公开(公告)号: CN103986425A 公开(公告)日: 2014-08-13
发明(设计)人: 韩科锋;王小保;曲广文;承继;史云龙;任启明;雷良军 申请(专利权)人: 无锡中普微电子有限公司
主分类号: H03F3/20 分类号: H03F3/20
代理公司: 无锡互维知识产权代理有限公司 32236 代理人: 庞聪雅
地址: 214000 江苏省无锡市滨湖区*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 基于 射频 直流 反馈 功率放大器
【权利要求书】:

1.一种基于射频直流反馈的功率放大器,其特征在于,其包括:

功率放大电路,其输入端通过输入电容接收外部输入的射频输入信号,对射频输入信号进行功率放大,并通过其输出端输出射频输出信号;

采样电路,其采样所述功率放大电路的输出电流得到采样电流;

直流转换电路,将所述采样电流转换成直流反馈电流;

偏置电路,其包括提供偏置电流的偏置电流源,其基于直流反馈电流和偏置电流提供为所述功率放大电路的输入端提供偏置电压。

2.根据权利要求1所述的功率放大器,其特征在于,

所述功率放大电路包括第一功率放大晶体管,该第一功率放大晶体管的栅极为所述第一功率放大电路的输入端,

所述采样电路包括第一采样晶体管,该第一采样晶体管的栅极与所述第一功率放大晶体管的栅极相连,

所述偏置电路还包括偏置晶体管,该偏置晶体管的栅极通过偏置电阻与第一功率放大晶体管的栅极相连,所述偏置电流和所述直流反馈电流合并后流过所述偏置晶体管使得所述偏置晶体管的栅极为第一功率放大晶体管的栅极提供所述偏置电压。

3.根据权利要求2所述的功率放大器,其特征在于,第一功率放大晶体管的源极接地,第一采样晶体管的源极接地,

所述偏置晶体管的源极接地,其栅极与其漏极相连,所述偏置电流和所述直流反馈电流合并后流过所述偏置晶体管的漏极,所述偏置晶体管的栅极通过所述偏置电阻与第一功率放大晶体管的栅极相连。

4.根据权利要求3所述的功率放大器,其特征在于,所述功率放大电路还包括第二功率放大晶体管,第二功率放大晶体管的源极与第一功率放大晶体管的漏极相连,第二功率放大晶体管的漏极与扼流电感的一端相连,所述扼流电感的另一端接电源端,第二功率放大晶体管的漏极与所述扼流电感的连接节点作为所述功率放大电路的输出端,

所述采样电路还包括第二采样晶体管,其栅极连接第二功率放大晶体管的栅极,其源极接第一采样晶体管的漏极。

5.根据权利要求3所述的功率放大器,其特征在于,所述直流转换电路包括第一转换晶体管、第二转换晶体管、滤波电容、滤波电阻,

第一转换晶体管的栅极通过滤波电阻与第二转换晶体管的栅极相连,第一转换晶体管和第二转换晶体管的源极均接电源端,所述滤波电容连接于电源端和第一转换晶体管的栅极之间,

第一转换晶体管的漏极输出直流反馈电流,第二转换晶体管的漏极连接第二采样晶体管的漏极。

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