[发明专利]一种具备沟道效应的瞬态电压抑制器芯片的生产工艺

权利要求书

1.一种具备沟道效应的瞬态电压抑制器芯片的生产工艺，其特征在于：选用P型硅片，采用如下次序的步骤：

(1)扩散前处理：通过酸、碱和去离子水超声清洗工序，对硅片表面进行清洗处理；

(2)磷源预扩：将清洗后的硅片放入使用气态磷源扩散的预扩散炉中进行扩散形成预扩N⁺；

(3)扩散前处理：用酸浸泡、去离子水超声清洗，使去除表面氧化层；再通过酸、碱和去离子水超声清洗工序，对硅片表面进行处理；

(4)磷推进：将扩散前处理后的硅片放入扩散炉中推进形成N⁺；

(5)氧化：用酸浸泡、去离子水超声清洗，使去除表面氧化层；把喷砂后经过超砂、电子清洗剂处理的硅片在氧化炉中生长氧化层；

(6)光刻：把氧化后的硅片进行涂胶、曝光、显影、去氧化层的工序，刻出台面图形；

(7)沟槽腐蚀：用混酸刻蚀台面沟槽，并用去离子水冲净；

(8)双面电泳：把玻璃粉沉积在硅片沟槽中进行双面电泳；

(9)烧结：把电泳后的硅片放入烧结炉中进行烧结；

(10)去氧化层：用稀释的氢氟酸浸泡、去离子水超声清洗去除烧结后硅片表面氧化层；

(11)镀镍、镀金，芯片切割、测试：将去氧化层后的硅片在专用镀槽中进行镀镍、镀金、干燥；

(12)划片：用划片机把镀金后的硅片从台面沟槽处划成单个芯片并进行测试。

2.根据权利要求1所述的一种具备沟道效应的瞬态电压抑制器芯片的生产工艺，其特征在于：磷源预扩步骤中扩散温度为1100～1200℃，预扩N⁺磷扩散结方块电阻为0.2～0.6Ω/□，结深7～12um。

3.根据权利要求1所述的一种具备沟道效应的瞬态电压抑制器芯片的生产工艺，其特征在于：磷推进步骤中扩散温度为1150～1250℃，N⁺磷扩散结方块电阻为0.1～0.4Ω/□，结深50～60um。

4.根据权利要求1所述的一种具备沟道效应的瞬态电压抑制器芯片的生产工艺，其特征在于：氧化步骤中氧化温度为1100～1200℃，氧化层厚度0.6～0.8um。

5.根据权利要求1所述的一种具备沟道效应的瞬态电压抑制器芯片的生产工艺，其特征在于：沟槽腐蚀步骤中，混酸温度控制在8～12℃，沟槽深度为70～90um。

6.根据权利要求1所述的一种具备沟道效应的瞬态电压抑制器芯片的生产工艺，其特征在于：双面电泳步骤中玻璃粉的层厚度为10～30um。

7.根据权利要求1所述的一种具备沟道效应的瞬态电压抑制器芯片的生产工艺，其特征在于：烧结步骤中的烧结温度为800～820℃。

8.根据权利要求1所述的一种具备沟道效应的瞬态电压抑制器芯片的生产工艺，其特征在于：所制备的芯片的雪崩击穿电压V_BO为27V～40V，拑位电压V_C<V_BO。