[发明专利]可配置的宽调谐范围振荡器核心

权利要求书

1.一种宽调谐范围振荡器，包括：

谐振器，其具有第一端子和第二端子；

第一n型晶体管，其具有第一漏极；

第二n型晶体管，其具有第二漏极；

第一p型晶体管，其可切换地连接到所述第一端子；以及

第二p型晶体管，其可切换地连接到所述第二端子；

其中选择性地切换所述第一p型晶体管和所述第一端子之间的连接以及所述第二p型晶体管和所述第二端子之间的连接促进所述宽调谐范围振荡器在覆盖CMOS频带、NMOS频带和CMOS/NMOS频带的模式中的操作。

2.根据权利要求1所述的宽调谐范围振荡器，其中所述第一漏极连接到所述第一端子并且所述第二漏极连接到所述第二端子。

3.根据权利要求1所述的宽调谐范围振荡器，其进一步包括：

第一开关，其将所述第一p型晶体管连接到所述第一端子；以及

第二开关，其将所述第二p型晶体管连接到所述第二端子。

4.根据权利要求3所述的宽调谐范围振荡器，其中闭合所述第一开关并且闭合所述第二开关降低振荡器频率且促进在所述CMOS频带中的操作。

5.根据权利要求3所述的宽调谐范围振荡器，其中打开所述第一开关并且打开所述第二开关提高振荡器频率且降低相位噪声，由此促进在所述NMOS频带中的操作。

6.根据权利要求1所述的宽调谐范围振荡器，其中所述谐振器包括电容器、电感器、电抗器和变压器中的至少一种。

7.根据权利要求1所述的宽调谐范围振荡器，其中所述第一n型晶体管和所述第二n型晶体管利用来自由开关和电感器组成的组中的一个装置接地。

8.根据权利要求1所述的宽调谐范围振荡器，其进一步包括连接到所述第一p型晶体管的偏置电路。

9.根据权利要求8所述的宽调谐范围振荡器，其中所述偏置电路进一步连接到所述第二p型晶体管。

10.一种用于操作宽调谐范围振荡器的方法，包括：

操作具有第一端子和第二端子的谐振器；

操作具有第一漏极的第一n型晶体管和具有第二漏极的第二n型晶体管；

操作可切换地连接到所述第一端子的第一p型晶体管和可切换地连接到所述第二端子的第二p型晶体管；以及

选择地切换所述第一p型晶体管和所述第一端子之间的连接以及所述第二p型晶体管和所述第二端子之间的连接，以在覆盖CMOS频带、NMOS频带和CMOS/NMOS频带的模式中操作所述宽调谐范围振荡器。

11.根据权利要求10所述的方法，其中所述第一漏极连接到所述第一端子并且所述第二漏极连接到所述第二端子。

12.根据权利要求10所述的方法，其中所述选择性地切换包括：

操作将所述第一p型晶体管连接到所述第一端子的第一开关；以及

操作将所述第二p型晶体管连接到所述第二端子的第二开关。

13.根据权利要求12所述的方法，其中闭合所述第一开关并且闭合所述第二开关降低振荡器频率且促进在所述CMOS频带中的操作。

14.根据权利要求12所述的方法，其中打开所述第一开关并且打开所述第二开关提高振荡器频率且降低相位噪声，由此促进在所述NMOS频带中的操作。

15.根据权利要求10所述的方法，其中所述谐振器包括电容器、电感器、电抗器和变压器中的至少一种。

16.根据权利要求10所述的方法，其中所述第一n型晶体管和所述第二n型晶体管利用来自由开关和电感器组成的组中的一个装置接地。

17.根据权利要求10所述的方法，其进一步包括将第一偏压提供到所述第一p型晶体管。

18.根据权利要求17所述的方法，其进一步包括将第二偏压提供到所述第二p型晶体管。